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第七章 存储器系统 第七章　存储器系统 7.1 存储器系统概述 7.2 主存储器 7.3 新型存储器 7.4 高速缓冲存储器 7.5 辅助存储器 7.1 存储器系统概述 7.1.1 存储器分类 7.1.2 存储器的结构 7.1.3 程序访问局部性原理 7.1.4 存储器的层次结构 7.1.1 存储器分类 1．按存储介质分类 2．按存取方式分类 3．按存储器的读写功能分 4．按信息的可保存性分 5．按在计算机系统中作用分类 存储器分类表  7.1.2 存储器的结构 1．基本存储单元 2．存储体 3．地址译码器 (1)．单译码 (2)．双译码 4．片选与读／写控制电路 5．I/O电路 6．集电极开路或三态输出缓冲器 7．其它外围电路 7.1.3 程序访问局部性原理 1、时间局部性(temporal Locality)：如果一个存储项被访问，则可能该项会很快被再次访问。即在最近的未来要用到的信息很可能是现在正在使用的信息，这主要是程序循环造成的，即循环中的语句要被重复的执行。 2、空间局部性(Spatial Locality)：如果一个存储项被访问，则该项及其邻近的项也可能很快被访问。即在最近的未来要用到的信息很可能与现在正在使用的信息，在程序空间上是相邻或相近的，这主要是由于指令通常是顺序执行的，以及数据一般是以向量、阵列、树形、表格等形式簇聚地存储所致。 7.1.4 存储器的层次结构 问题的提出 解决存储器容量和速度矛盾的办法 应用了访问局部性原理，把存储体系设计成为层次化的结构（Memory Hierarchy）以满足使用要求。 在这个层次化存储系统中，一般由寄存器、高速缓存(Cache)、主存(内存)、外存(硬盘等)组成,而不只是依赖单一的存储部件或技术。 7.2 主存储器 7.2.1主存储器的技术指标 7.2.2计算机内部存储部件 7.2.3随机读写存储器(RAM) 7.2.4只读存储器(ROM) 7.2.5主存储器的组织  7.2.1主存储器的技术指标 7.2.2计算机内部存储部件 1 半导体存储器的分类 2 半导体存储器芯片的基本结构 1 半导体存储器的分类 2 半导体存储器芯片的基本结构 （1）存储体 （2）外围电路 1) 地址译码电路 2) 读/写控制电路 （3）地址译码方式 1) 单译码方式 2) 双译码方式 单译码方式 双译码方式 7.2.3随机读写存储器(RAM) 7.2.3.1 静态RAM(SRAM) 7.2.3.2 动态RAM（DRAM） 7.2.3.1 静态RAM(SRAM) （1） 静态RAM(SRAM)的基本存储电路 （2）Intel 2114 SRAM芯片 7.2.3.2 动态RAM（DRAM） （1）动态RAM的基本存储电路 1) 四管动态RAM基本存储电路 2) 单管动态RAM基本存储电路 3) 动态RAM的刷新 （2）Intel 2174A动态RAM芯片 (3) 静态RAM与动态RAM的比较 因此随着动态RAM容量不断扩大，速度不断提高，它被广泛应用于计算机的主存。 动态RAM也有缺点： ???由于使用动态元件（电容），因此它的速度比静态RAM低； ? 动态RAM需要再生，因此需要配制再生电路，也需要消耗一部分功率。 通常，容量不大的高速存储器大多用静态RAM实现。 7.2.4 只读存储器(ROM) 1．ROM的分类 2．掩膜式只读存储器(MROM) 3．可编程只读存储器(PROM) 4．可擦除、可再编程的只读存储器PROM 2．掩膜式只读存储器(MROM) 3．可编程只读存储器(PROM) 4、可擦除、可再编程的只读存储器PROM 目前，根据擦除芯片内已有信息的方法不同，可擦除、可再编程ROM可分为两种类型： 紫外线擦除PROM(简称EPROM) 电擦除PROM(简称EEPROM或E2PROM) (1) EPROM和E2PROM简介 (2) Intel 2716 EPROM芯片 1) 2716的内部结构和外部引脚 2) 2716的工作方式 3) 常用的EPROM芯片 (3) Intel 2816 E2PROM芯片 7.2.5 主存储器的组织 1． 存储器芯片与CPU的连接 2． 存储器芯片的扩展 3、 存储器的读、写周期 4、 主存储器组成实例 1． 存储器芯片与CPU的连接 存储器芯片与CPU之间的连接，实质上就是其与系统总线的连接，包括： ? 地址线的连接； ? 数据线的连接； ? 控制线的连接； 在连接中要考虑的问题 (1)