热环境对微机械多晶硅薄膜电阻电特性的影响.pdfVIP

第23卷　第4期 固体电子学研究与进展 V o l. 23,N o. 4　 　　　　　　　　 　　　　　　　　 2003 年 11 月 R E SEA R CH PRO GR E SS O F SSE N ov. , 2003　 热环境对微机械多晶硅薄膜电阻电特性的影响 董　 良　岳瑞峰　刘理天　徐　扬　李志坚 (清华大学微电子学研究所, 北京, 100084) 200 11228 收稿,收改稿 摘要: 将 CM O S 工艺和微机械加工技术相结合, 制作出悬空式微桥支撑、薄膜支撑以及无悬空结构的微机 械多晶硅薄膜电阻。通过对样品的电阻温度系数( T CR ) 和电流(I ) 电压(V ) 特性的测量, 研究了热隔离程度、工 作气压等热环境对多晶硅薄膜电阻电学特性的影响程度。 关键词: 热环境; 微机械多晶硅薄膜电阻; 伏安特性 中图分类号: TN 304. 55　　文献标识码:A 　　文章编号:(2003) 0450806 Inf luen ce of Therma l Env ironm en t on E lectr ica l Propert ies of M icromach in ed Poly sil icon Th in F ilm Resistor 　 　 　 　 DON G L ian g YU E R u ifen g L IU L it ian XU Y an g L I Zh ij ian (I ns titu te of M icroelec tron ics , T s ing h ua U n iv ers ity , B e ij ing , 100084, CH N ) A bstract: M icrom ach in ed p o ly silicon th in f ilm re sisto r s supp o r ted by m icrob r idge an d by th in f ilm h ave b een de sign ed an d fab r icated by CM O S p ro ce ss an d m icrom ach in in g techno lo gy. ( ) , A fter m ea su r in g th e tem p eratu re co eff icien t o f re sistan ce T CR an d I V ch aracter ist ics th e in f lu en ce o f th erm a l env ironm en t , su ch a s th e deg ree o f th erm a l in su lat ion an d th e p re ssu re o f at m o sp h ere, on elect r ica l p rop er t ie s o f