电泳法制备四针状纳米ZnO场发射阴极.pdfVIP

第 22 卷 　第 4 期 液 　晶　与 　显 　示 Vol22 ,No4 2007 年 8 月 Chinese J ournal of Liquid Cry st al s and Di sp lays Aug . ,2007 文章编号 (2007) 电泳法制备四针状纳米 ZnO 场发射阴极 陈　锦 ,郭太良 (福州大学 光电显示技术研究所 ,福建 福州 　350002 , Email :chenj in_82 10 15 @yahoo . com) 摘 　要 : 用电泳法成功地将四针状纳米 ZnO 沉降在透明导电玻璃 ITO 衬底上 ,制备出 13 cm × 10 cm 面积的场发射阴极屏 。使用扫描电子显微镜观察 ZnO 颗粒的表面形貌及分散均匀性 。 结果表明电泳法制得的 ZnO 场发射阴极屏透明且颗粒分布较均匀 。讨论了电泳电压 、沉降 时间、电泳液浓度对阴极场发射电流的影响 ,通过实验得出用电泳法转移四针状纳米氧化锌 制作阴极屏的最佳工艺条件 ,即直流电压 75 V 、电泳时间为 8 min ,两极距离 2 . 5 cm 条件下 制得的屏场发射性能较佳 ,显示效果较好 。测试了ZnO 阴极屏在 1 200 V 直流电压下长时间 发射稳定性 ,测试过程电流波动范围小于 5 % 。实验表明采用电泳法制备场发射阴极具有工 艺简单 、步骤少 、易操作 、成本低并能根据需要控制薄膜厚度及场发射屏面积等优点 ,对于大 屏幕 、低成本 F ED 的研发具有实际应用意义 。 关 　键 　词 : 场致发射显示 ; 纳米材料 ; 电泳沉积 ; 四针状 ZnO 中图分类号 : TN 873 . 93 　　　文献标识码 : A 场发射所需要的电场强度 ,提高材料的场发射性 1 　引　　言 能[ 1 ] 。半导体氧化物 ZnO 因为具有室温下直接 ( ) 宽禁带隙 Eg = 3 . 37 eV 及较高的激子束缚能 在众多的平板显示器件 中 , 场发射显示器 (60 meV) 成为研究热点 ,诸如线状 、带状 、棒状 ( F ED) 具有高亮度 、大视角 、低功耗等优点 ,被认 以及针状等一维纳米结构的文献报道逐年增加 。 为是未来最有前途的一种平板显示器 。场发射显 示器的基本工作原理是利用直流电源在两块相互 其中四针状纳米 ZnO 具有较大的场致发射电流 平行的极板间形成直流电场 ,在电场作用下电子 密度及高的场致发射稳定性 ,是一种理想的平板 从冷阴极材料的表面逸出并受阳极加速后轰击荧 显示器的阴极材料[2 ] 。其结构的尖端具有较大的 光材料而发光 。根据 FowlerNor dheim 方程 ,尖 曲率半径 ,而且四针状的几何结构保证始终有一 锥型阴极结构可以有效地提高场增强因子从而降 个角突出于衬底 ,对场发射有贡献 ,因此有望成为 低所需要的外加 电场 。Spindt 阴极结构开创了 继碳纳米管之后的新型场致发射阴极材料 。 场发射平板显示的新时代 ,但是制作传统的硅尖 本实验利用电泳法将四针状纳米 ZnO 成功 锥场发射阵列