GaAsGe太阳电池界面特性研究.pdfVIP

竺!堕竺竺兰兰苎竺竺竺 ■ GaAs／Ge太阳电池界面特性研究 王亮兴 张忠卫 池卫英 陆剑峰陈鸣波 上海空间电源研究所，200233 摘要：拳文报道了对GaAs／Ge界面特性的研究结果。我们采用低压金属有机物化学气相沉 面特性对电池性能的影响。 关键词：GaAS太阳电池Ge衬底玳审 ^ the onthecharacteristics0f inter{ace，which Abstract：This GaAslGe paperreportsstudy are considerationsfor solarcellsonGe．The were on critical 1IIV GaAscells grown P—and Gesubstraters a Iower by phase gas n-type metalorganicvapor epitaxy(MOVPE)at for resultshavebeen the ofthe of analysed characteristics pressure．Experimental impacts ofthe InterfaceOnthe cells． GaAs／Ge performances solarcellGesubstrateinterface Keywords：GaAs 离层来抑制”“”]；As向Ge衬底的扩散(作为n型 1引言 掺杂剂)，可以延伸到6pm，浓度高达10”cm，而 Ga的浓度更高，但扩散距离更短，但是在低温生长 在空间和地面电源应用中，GaInP／GaAs／Ge多 结太阳电池一直是最高效率的光伏电池”]，在AMo界面扩散在多结电池的设计中尤其重要。 光谱条件下，三结叠层电池的效率已经超过 最近，我们已经在n型GaAs衬底上研制出效 z9％‘“。控制GaAs／Ge界面特性不仅是获得高性 SUD， 能太阳电池以及批产可靠性的关键因素，而且是实 现更高效率的多结太阳电池的最大障碍[3“]。 在Ge衬底上外延生长GaAs观察到的主要晶特性进行了研究，本文主要讨论了界面的扩散特性 体缺陷是反相畴和位错o]。反相畴的形成是由于极 对电池性能的影响。 性／非极性异质外延引起的o]，不仅引人深能级，起 着强散射和非辐射复合中心的作用，而且导致显著 2试验方法 的表面粗糙，影响大面积均匀性和器件过程，通过选 kPa)金属有机物化学