传感器及其信号调理技术 教学课件 作者 徐湘元 第6章（2）.pptVIP

* 磁敏电阻的基本特性 （1）B-R 特性 该特性一般由无磁场时的电阻 和磁感强度为B时的电阻 来描述。通常情况是： 随元件形状不同而异，约为几十欧姆至几千欧姆，而 随 B 的变化而不同。图6-19 (a) 和6-19 (b) 分别为锑化铟（InSb）磁敏电阻和锑化铟-锑化镍（InSb-NiSb）磁敏电阻元件的 B-R 特性曲线。 (2) 灵敏度 磁敏电阻的灵敏度可用下式表述 (a) InSb的B-R特性曲线 (b) InSb-NiSb的B-R特性曲线 图6-19 磁阻元件的B-R特性图 其中， 为磁感应强度为0.3T时的 值， 为无磁场时的电阻。一般有： （3）电阻—温度特性 半导体磁阻元件的温度特性不好，所以应用时一般需设计温度补偿电路。强磁磁阻元件常用恒压方式，以获得较好的温度性能。 6.2.2 磁敏电阻的应用 1． 磁敏电阻元件 制作磁敏电阻时，通常是在一块衬底上做两个相互串联的磁敏电阻，或者四个磁敏电阻组成电桥形式，其线路如图6-20所示。磁敏电阻的阻值通常在几百欧姆至几千欧姆之间，工作电压不超过12V，频率可达MHZ，动态范围宽，信噪比高。 图6-20 磁敏电阻线路结构 下面几种磁敏电阻产品来自日本，并被广泛采用。 ☆ MR214A/223A：用强磁性金属薄膜组成，工作在磁性饱和区，常用于检测角位移和线位移。 ☆ DM106B：在硅基板上附加强磁体，在8000A/m磁场强度下工作，多用于旋转磁场 ，输出电压可达80mV。 ☆ FPC/FPA系列：内置有放大器、整形电路等，具有信噪比高、频率特性好等优点，常用来检测位置（含接近开关）和转速等。 ☆ M413A/414A：4个磁敏电阻接成电桥形式，可测旋转方向、角度等量。 ☆ BS系列（图像识别）：可用来识别纸币及磁性墨水印刷品，也可用于磁性物体的位置及角度的测量。 2. 应用 图6-21磁敏电阻位移测量 磁敏电阻的应用主要利用它随磁场的变化，其磁阻也发生变化的特点来进行，其阻值范围一般在几百欧至几千欧之间变动。它可制成无触点开关、压力开关、位移传感器、安培计、交流放大器和振荡器等。下面看一个基于磁阻效应的位移测量例子。 磁阻效应位移测量：如图 6-21 有两块磁阻元件 和 置于磁场中，它们相对磁场产生位 移，于是磁阻元件的阻值发生变化，假如 变小， 变大，由于它们连接在电桥中，于是导致电桥的输出电压与电阻的变化成比例。 6.3 磁敏半导体传感器 6.3.1 磁敏二极管及其应用 1．结构与工作原理 磁敏二极管（magneto crystal diode）由锗或硅半导体材料制成，其结构和符号如图6-22 (a) 所示。在高阻半导体芯片（本征型 I）两端，分别制作P、N两极，且使P和N极均为重掺杂区，两区的长度大大小于本征区 I，从而使整个半导体材料形成 P-I-N 结构。与此同时，对 I 区的两侧进行不同处理：前侧打毛，粗糙的表面易于电子和空穴复合，称此面为 r 面（recombination surface），另一侧磨光为光滑面。于是，构成了磁敏二极管。 r 面（复合区） （a）结构与符号 （b）无磁场时的情况 （c）磁场从外向内的情况 （d）磁场从内向外的情况 图6-22 磁敏二极管结构与工作示意图 在磁敏二极管外加正偏压，即P区接正极，N 区接负极，于是大量空穴从 P 区进入I区，同时大量的电子从N区注入 I 区，假如此时未加磁场，则情况如图6-22 (b) 所示；若加入磁场，方向为从外向里，则注入的空穴和电子均受到洛伦兹力作用，而偏向r面，并进行复合而消失，因而电流较小，如图6-22 ( c ) 所示；当磁场方向由里向外时，大量的空穴和电子转向光滑面，因复合率变小而使电流变大，如图6-22 (d) 所示。由此可见，r 面和光滑面的复合率相差越大，磁敏二极管灵敏度越高。 2．磁敏二极管的主要特性 ① 伏安特性：硅磁敏二极管的伏安特性如图6-23所示，当保持电压恒定条件下，随着外加磁场由负转正，电流逐渐变小，并且曲线形状由弯曲向直线演变。 ② 电压相对灵敏度：在恒流源偏置下，硅磁敏二极管输出电压 随磁感强度 B 改变的