聚3-甲基噻吩修饰量子点硫化镉连接纳米结构TiO2复合膜电极光电化学研究.pdfVIP

郝彦忠等：聚3一甲基噻吩修饰量子点硫化镉连接纳米结构Ti()。复合膜电极光电化学研究 聚3一甲基噻吩修饰量子点硫化镉连接 纳米结构Ti02复合膜电极光电化学研究。 郝彦忠，王伟 (河北科技大学理学院，河北石家庄050018) 摘 要： 采用原位化学法在纳米结构Ti0。电极上制 算机采样处理。以200w氙灯为光源，通过单色仪 (wDG30)照射在工作电极上。 备了量子点CdS(Q—CdS)，并用电化学方法在TiO。／ 756 Q-CdS表面聚合3一甲基噻吩p01y(3一Methylthio—用紫外一可见分光光度计(spectrumPC)测定 phene)(PMeT)。通过对PMeT修饰Q—CdS连接其吸收光谱，所用试剂除乙腈为色谱纯外，其它均为分 析纯，未经进一步纯化。所有溶液均用二次去离子水 TiO：纳米结构膜的研究表明，PMeT和Q—CdS单独修 饰纳米结构TiO。电极和PMeT修饰Q—CdS连接纳米配制。 结构TiO。电极的光电流产生的起始波长都向长波方 2．2工作电极的制备 向移动；一定条件下在可见光区光电转换效率均较纳 纳米结构“O：电极的制备参考文献[8]，将铟锡 米结构TiO。的光电转换效率有明显的提高；聚3一甲基 噻吩(PMeT)与Q—CdS连接的纳米结构“O。之间存中依次用丙酮、二次去离子水、无水乙醇清洗，吹干后， 在p—n异质结。在一定条件下p—n异质结的存在有利用滚动涂膜法在导电面上涂一层纳米TiOz粒子。在 于光生电子／空穴的分离，提高了光电转换效率。 450℃马福炉内烧结30min。 关键词： 量子点；光电化学；聚3～甲基噻吩 中图分类号： 064 文献标识码：A 孔内，然后用二次蒸馏水冲洗电极表面，将残留在表面 文章编号：1001—9731(2007)01一0011一03 的Cd2+冲洗除尽，再将电极放人o．5mol／LNazS溶液 1 引 言 中浸泡1min，用二次蒸馏水冲洗电极表面，将残留在 “O。禁带宽度较宽(锐钛矿的禁带宽度Eg一3．2表面的S2一冲洗除尽，按上述步骤分别在每种溶液中 eV)，只在紫外光区有吸收，导致其太阳光谱利用率很 浸泡3次，最后在80℃烘箱内干燥一定时间，在TiO。 低。而窄禁带半导体纳米晶在作为敏化太阳电池的光 敏剂有着重要的意义[1~5]。因此人们开始尝试将量子CdS膜电极。 点应用于光电化学电池，进一步扩展其光谱响应范围， 但是量子点敏化光电化学电池有严重的光稳定问题。 本课题组尝试用导电聚合物[6’73修饰量子点连接纳米体的乙腈溶液中，以饱和甘汞电极为参比电极，以Pt 结构TiO。膜来解决这一问题。本文所研究的聚3一甲 电极为对电极，在1．8V恒电位下电化学聚合40s，即 基噻吩(PMeT)修饰Q—Cds纳米结构TiO。膜的研究 尚未见任何报道。本文用原位化学法在纳米尺度 TiOz多孔膜电极上修饰了Q-CdS，并用电化学的方法 液中，以饱和甘汞电极为参比电极，以Pt电极为对电 在Q-CdS连接的纳米尺度TiO：多孑L膜电极上聚合了 3一甲基噻吩，并探讨了光电化学机理。 ITO／Ti02／Q—CdS／PMeT膜电极。 2 实 验 以上电极均用铜导电胶在未覆盖纳米多孔膜的导 2．1仪器与试剂 电基底上粘上一根导线，用环氧树脂密封导线联接处 光电化学实验采用带石英窗口的三室电解池，工