第二十一讲Si表面和金属-氧化物-半导体结构.pdfVIP

2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo Si 第二十一讲 表面和金属－氧化物－半导体结构 10月23 ，2002 容： 1. 半导体表面 2. 理想MOS结构在热平衡时 阅读作业： del Alamo Ch. 8 §§8.1 8.2 8.2.1-8.2.2 ， － （ ） 讨论会： 10 24 . V. Mohindra McKinsey McKinsey Rm. 35-225, 7 月 日 （ ）：半导体工业的骚动 —— 来自 一个领先的顾问机构的全面展望。 晚