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《半导体器件物理》复习思考题 2012.12 （一）判断对错：(对的打“ ( ”，错的打“×”) （1）p-n结势垒区中存在有空间电荷和强的电场。（(） （2）单边突变的p+-n结的势垒区主要是在掺杂浓度较高的p+型一边。（× ） （3）热平衡、非简并p-n结（同质结）的势垒高度可以超过半导体的禁带宽度。（ ×） （4）突变p-n结因为是由均匀掺杂的n型半导体和p型半导体构成的，所以势垒区中的电场分布也是均匀的。（×） （5）因为在反向电压下p-n结势垒区中存在有较强的电场，所以通过p-n结的反向电流主要是多数载流子的漂移电流。（ × ） （6）p-n结所包含的主要区域是势垒区及其两边的少数载流子扩散区。（(） （7）p-n结两边准费米能级之差就等于p-n结上所加电压的大小。（( ） （8）金属与半导体接触一般都形成具有整流特性的Schottky势垒，但如果金属与较高掺杂的半导体接触却可以实现欧姆接触。（(） （9）BJT的共基极直流电流增益α0，是除去集电极反向饱和电流之外的集电极电流与发射极电流之比。（ ( ） （10）BJT的特征频率fT决定于发射结的充电时间、载流子渡越中性基区的时间、集电结的充电时间和载流子渡越集电结势垒区的时间。 （(） （11）集电极最大允许工作电流ICM是对应于晶体管的最高结温时的集电极电流。（×） （12）使BJT由截止状态转换为临界饱