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微电子封装中等离子体清洗及其应用 , f8 ^1 h2 _% K- B+ ^聂磊，蔡坚，贾松良，王水弟 5 j1 ^; D2 P3 y) k k% t! @) m（清华大学微电子学研究所，北京100084） 6 O0 O/ A F: ` m6 \: s7 [* `1 f* Z2 z; o摘要：随着微电子工艺的发展，湿法清洗越来越局限，而干法清洗能够避免湿法清洗带来的环境污染，同时生产率也大大提高。等离子体清洗在干法清洗中优势明显，本文主要介绍了等离子体清洗的机理、类型、工艺特点以及在微电子封装工艺中的应用。 8 X. D6 | G/ G m9 F: e$ N. O! w2 E1 G5 H关键词：等离子体清洗；干法清洗；微电子封装 ??T0 g$ Q4 n6 |$ v9 V/ V4 F% V; H3 D, {) Z中图分类号：TN305.94 文献标识码：A 文章编号：1003-353X(2002)12-0030-05, U. | d! e- [2 z3 W( W ] A- l3 H( X! d+ S* P, _) r2 E0 r, k7 ~; j9 T??G1 引言  ?* {# P5 O O??E1 D7 z8 f o微电子工业中的清洗是一个很广的概念，包括任何与去除污染物有关的工艺。通常是指在不破坏材料表面特性及电特性的前提下，有效地清除残留在材料上的微尘、金属离子及有机物杂质。目前已广泛应用的物理化学清洗方法，大致可分为两类：湿法清洗和干法清洗。  T) j) f6 C4 I5 E% G5 v ]/ o6 O2 M$ [7 U; c1 I7 L2 z湿法清洗在现阶段的微电子清洗工艺中还占据主导地位。但是从对环境的影响、原材料的消耗及未来发展上看，干法清洗要明显优于湿法清洗。 + E y- z$ f( e3 C2 D) g7 q??Y. A4 S( i* a( ~+ v+ H! s干法清洗中发展较快、优势明显的是等离子体清洗，等离子体清洗已逐步在半导体制造、微电子封装、精密机械等行业开始普遍应用。 $ Z$ f7 q- k* m: @??u2 p( B/ U$ M8 W??w2 v( X4 t/ I S2 等离子体清洗 ( T9 u2 {5 f# ^* C2 H3 R8 L q X0 [ s7 m ?$ _2.1 等离子体清洗的机理) w3 R; C) O4 F0 N9 Y$ b1 r b6 ?: V2 w0 Y等离子体是部分电离的气体，是物质常见的固体、液体、气态以外的第四态。等离子体由电子、离子、自由基、光子以及其他中性粒子组成。由于等离子体中的电子、离子和自由基等活性粒子的存在，其本身很容易与固体表面发生反应[1]。 $ I4 D1 D3 r# Y- @/ u6 T7 o, P( [5 w/ U4 [图1简单描述了等离子体清洗的机理，主要是依靠等离子体中活性粒子的“活化作用”达到去除物体表面污渍的目的。就反应机理来看，等离子体清洗通常包括以下过程：无机气体被激发为等离子态；气相物质被吸附在固体表面；被吸附基团与固体表面分子反应生成产物分子；产物分子解析形成气相；反应残余物脱离表面。 2 [0 I$ e/ C5 P I! d- s9 m) Z% b- E9 @( S+ D$ l: ~7 O M2 P3 ]/ R3 m$ S. ] S- G% K: T等离子体清洗技术的最大特点是不分处理对象的基材类型，均可进行处理，对金属、半导体、氧化物和大多数高分子材料，如聚丙烯、聚脂、聚酰亚胺、聚氯乙烷、环氧、甚至聚四氟乙烯等都能很好地处理，并可实现整体和局部以及复杂结构的清洗。 8 G???% Z??d- r4 J% k( @. e6 E/ L: p! `+ h7 J??k等离子体清洗还具有以下几个特点：容易采用数控技术，自动化程度高；具有高精度的控制装置，时间控制的精度很高；正确的等离子体清洗不会在表面产生损伤层，表面质量得到保证；由于是在真空中进行，不污染环境，保证清洗表面不被二次污染。 % Y2 {+ J+ C( e: @; e N1 w1 B8 q y0 p??x9 F2.2 等离子体清洗分类 - n$ x; \* |7 ?8 o, a6 i! K3 D2.2.1 反应类型分类 # h) E5 D+ H3 l* W E6 e1 L* x6 n J( X??z- _等离子体与固体表面发生反应可以分为物理反应（离子轰击）和化学反应。物理反应机制是活性粒子轰击待清洗表面，使污染物脱离表面最终被真空泵吸走；化学反应机制是各种活性的粒子和污染物反应生成易挥发性的物质，再由真空泵吸走挥发性的物质。 ) Z a: K??y f% S7 H* R8 X0 ~9 ^