SiC衬底上MOCVD法外延GaN基蓝光LED.docVIP

December2008　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　Semiconductor Technology Vol.33Supplement SiC衬底上MOCVD法外延GaN基蓝光LED 朱学亮1,2,曲　爽1,2,刘存志1,李树强1, 夏　伟1,沈　燕1,任忠祥1,徐现刚1,2 (1.山东华光光电子有限公司,济南　250101; 2.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南　250100) 摘要:利用MOCVD在SiC衬底上采用AlN缓冲层外延GaN材料。GaN的X射线(002)和 (102)摇摆曲线分别是303″和311″,表明获得了高质量的GaN材料。原子力显微镜照片能清晰 地观察到GaN表面的原子台阶,材料的表面粗糙度为0.19nm,小于蓝宝石衬底上GaN薄膜的 粗糙度。采用不同厚度的AlN缓冲层外延GaN基蓝光LED,并研究了薄膜中的应变状态。当采 用不同的AlN缓冲层时,倒易空间图证实InGaN/GaN量子阱区完全应变的外延在GaN层上, 而AlN缓冲层则是弛豫的。外延片进行管芯工艺制备,得到高亮度的LED。 关键词:碳化硅;氮化镓;光电二极管 中图分类号: TN304.054; TN304.23; TN304.2　文献标识码:A　 文章编号:1003-353X (2008)增刊-0187-03 Growth of GaN-Based Blue LED on SiC Substrate by MOCVD Zhu Xueliang1,2, Qu Shuang1,2, Liu Cunzhi1, Li Shuqiang1, Xia Wei1, Shen Yan1, Ren Zhongxiang1, Xu Xiangang1,2 (1. Shandong Huaguang Optoelectronics CO., LTD., Jinan250101China; 2. State Key Laboratory of Crystal Material, Shandong University, Jinan250101, China) Abstract:GaN films were grown on SiC substrates by MOCVD with AlN buffer layer. The full width at half maximum of (002) and (102) X-ray rocking curves are303″and311″, respectively, which confirms that high quality GaN films are prepared. Atomic force microscopy (AFM) image reveals that the GaN film has regular steps and terraces. The root-mean-square (RMS) rough- ness of GaN film grown on SiC is0.19nm. Blue LED were grown on SiC substrates with differ- ent AlN thickness and the strain was studied. The reciprocal space mappings reveal that InGaN/ GaN quantum wells are coherently grown on GaN buffer while the AlN buffer is relaxed. Blue LED chips were made and high bright LEDs were achieved. Key words:SiC; GaN; LED EEACC:2520D;4260D 0　引　言 近年来,蓝光LED技术取得了巨大的进步, 用蓝光LED激发黄光荧光粉来制作白光LED是当 前半导体照明的主流技术。在半导体照明中,功率 型蓝光LED是基础。由于缺乏合适的衬底,一般 蓝光LED都是异质外延在蓝宝石衬底上。因为蓝 宝石衬底的热导率较差(0.5W/cm·K),功率 LED在大电流下产生大量热量不能耗散,不但导 致LED热稳定性变差,更会引起LED发光效率降 低。采用倒装芯片(flip-chip)技术把LED管芯放 在热沉上可以提高散热效果[1],但最根本的方法是 187 GaN半导体技术第33卷增刊　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　2008年12月 采用热导率更好的衬底。SiC衬底正好满足了这个 要求,它具有高的热导率(4.9W/cm·K),约是 蓝宝石的10倍。另一方面,