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光 刻 工 艺 一、目的： 按照平面晶体管和集成电路的设计要求，在 SiO2 或金属蒸发层上面刻蚀出 与掩模板完全相对应的几何图形，以实现选择性扩散和金属膜布线的目的。 二、原理： 光刻是一种复印图象与化学腐蚀相结合的综合性技术，它先采用照像复印的 方法，将光刻掩模板上的图形精确地复制在涂有光致抗蚀剂的 SiO2 层或金属蒸 发层上，在适当波长光的照射下，光致抗证剂发生变化，从而提高了强度，不溶 于某些有机溶剂中，未受光照射的部分光致抗蚀剂不发生变化，很容易被某些有 机溶剂溶解。然后利用光致抗蚀剂的保护作用，对 SiO2 层或金属蒸发层进行选 择性化学腐蚀，从而在 SiO2 层或金属层上得到与光刻掩模板相对应的图形。 在SiO2 层上涂 将掩模板覆盖 显影后经过腐蚀 复光刻胶膜 在光刻胶膜上 得到光刻窗口 在紫外灯下曝光 （一）光刻原理图 （一）光刻胶的特性： 1．性能，光致抗蚀剂是一种对光敏感的高分子化合物。当它受适当波长的 光照射后就能吸收一定波长的光能量，使其发生交联、聚合或分解等光化学反应。 由原来的线状结构变成三维的网状结构，从而提高了抗蚀能力，不再溶于有机溶 剂，也不再受一般腐蚀剂的腐蚀． 2 ．组成：以 KPR 光刻胶为例： 感光剂－－聚乙烯醇肉桂酸酯。 溶 剂－－环己酮。 增感剂－－5 ·硝基苊， 3．配制过程： 将一定重量的感光剂溶解于环己酮里搅拌均匀，然后加入一定量的硝基苊, 再继续揖拌均匀，静置于暗室中待用。 感光剂聚乙烯醇肉桂酸酯的感光波长为 3800? 以内，加入 5 ·硝基苊后感 光波长范围发生了变化从 2600—4700 ? 。 （二）光刻设备及工具： 1．曝光机－－光刻专用设备。 2 ．操作箱甩胶盘－－涂复光刻胶。 3．烘箱――烤硅片。 4 ．超级恒温水浴锅－－腐蚀SiO2 片恒温用。 5．检查显为镜――检查SiO2 片质量。 6 ．镊子――夹持SiO2 片。 7．定时钟――定时。 8．培养皿及铝盒――装Si 片用。 9．温度计――测量温度。 图（二）受光照时感光树脂分子结构的变化 三、光刻步骤及操作原理 1．涂胶：利用旋转法在 SiO2 片和金属蒸发层上，涂上一层粘附性好、厚度适当、 均匀的光刻胶。 将清洁的 SiO2 片或金属蒸发片整齐的排列在甩胶盘的边缘上，然后用滴管滴上 数滴光刻胶于片子上，利用转动时产生的离心力，将片子上多余的胶液甩掉，在 光刻胶表面粘附能力和离心力的共同作用下形成厚度均匀的胶膜。 涂胶时间约为 1 分钟。 要求：厚度适当（观看胶膜条纹估计厚薄），胶膜层均匀，粘附良好，表面无颗 粒无划痕。 图（三）光刻工艺流程示意图 2. 前烘：将硅片放入铅盒中，然后在红外灯下烘焙，促使胶膜内溶剂充分地挥 发掉，使胶膜干燥，增加胶膜与 SiO2 或金属膜之间的粘附性和提高胶膜的耐磨 性，不沾污掩模板，只有干燥的光刻胶才能充分进行光化学反应。 （1）前烘时间：约 15′ （2 ）前烘温度：T ＝80℃ 3．曝光：接触式曝光法，在专用的光刻机上，它包括“定位”和“曝光”两部 分。 预热紫外光灯（高压水银灯）使光源稳定—将光刻掩模板安装在支架上，使有图 形的玻璃面向下—把涂有光刻胶的 Si 片放在可微调的工作台上胶面朝上—在显 微镜下仔细调节微动装置，使掩模板上的图形与硅片相应的位置准确套合—顶紧 Si 片和掩模板—复查是否对准—曝光－－取下片子。 （1）曝光时间的选择： a ．光源强弱；b．光源与 Si 片距离远近；c ．光刻胶性能；d ．光刻图形尺 寸大小。一般情况下，