剥离技术在GaN基紫外图像传感器中的应用.pdfVIP

《半导体光电》2005 年 4 月第 26 卷第 2 期 叶嗣荣 等 : 　剥离技术在 GaN 基紫外图像传感器中的应用 材料 、结构及工艺 剥离技术在 Ga N 基紫外图像传感器中的应用 1 2 1 1 叶嗣荣 , 肖　灿 , 黄烈云 , 向勇军 1. 重庆光电技术研究所 ,重庆 400060 ;2 . 重庆邮电学院 光电学院,重庆 400065 摘 　要 : 　采用剥离技术 , 实现了 GaN 基紫外探测器件与硅读出电路的倒焊对接 ,对提高 GaN 基紫外图像传感器的电学特性起到了重要的作用 。介绍了剥离技术的原理 ,实验结果分析及 应用 。 关键词 : 　Al GaN ; 剥离技术 ; 紫外探测器 中图分类号 : TN 304 . 23 　文献标识码 : A 　文章编号 : 100 1 - 5868 2005 02 - 0 115 - 03 Appl ication of Stripping Technique to Ga Nbased UV Image Sensor YE Sirong1 , XIA O Can2 , HU AN G Lieyun1 , XIAN G Yon gj un1 1. Chongqing Optoelectronics Research Institute , Chongqing 400060 , CHN; 2 . College of Photoelectricity , Chongqing University of Posts and Telecommunications , Chongqing 400065 , CHN Abstract : 　By u sing t he st ripping t echnique ,t he flipchip bonding bet ween GaN ult raviolet U V det ector s and Si readout int egrat ed circuit s i s realized to imp rove t he elect rical charact eri stics of GaNba sed U V imnge sen sor s. The t heory , re sult analy si s and app lication s of st ripp in g t echnique are int ro duced . Key words : 　Al GaN ; st ripping t echnique ; ult raviolet det ector s 1 　引言 腐蚀液 ,从而使光刻操作简便 ,对制作金属电极特别 有利 ,而且电极高度得到提高 ,尺寸精度好 ,边缘整 GaN 基三元合金 A 1 GaN 材料是直接带隙半导 齐 。这一技术应用到 GaN 基紫外图像传感器的研 体 ,随材料 A 1 组分的变化其带隙在 3 . 4 ～6 . 2 eV 制中 ,对提高该器件的可靠性和电学特性有着积极 之间连续可调 ,带隙变化对应波长范围为 200 ～365 的意义 。 nm ,覆盖了地球上大气臭氧层吸收光谱区 230 ～ 280 nm ,非常适合于制作太阳盲区紫外光探测器 。 2 　剥离技术的制作过程 、条件及要求 由于大气吸收而造成的太阳盲区现象使得紫外光探 2 . 1 　制作过程 测器在导弹跟踪以及预警设备方面具有广阔的应用 剥离技术是在干 、湿法腐蚀技术的基础上发展 前景[ 1] 。目前 ,紫外光探测器随着发展的需要已从 起来的 ,因为它不用腐蚀这道工序 ,所以与干 、湿法 单元发展至多元线阵与面阵 。同时 , 随着探测器单 腐蚀工艺有较大的差别 。图 a 、b 分别示出了剥 元的增多、集成度的提高 ,光刻金属电极宽度和厚度 离法和腐蚀法制作金属柱的工艺过程 。 之比也越来越小 。因此 ,采用常规的干 、湿法腐蚀工 从图 1 a 和 b 中可以看出 ,采用剥离法所得 艺已无法适应于 GaN 基紫外探测器件的厚金属电 到的金属柱好 ,边缘整齐 ,能得到高的金属柱 。采用 极的制作 。为了解决这一问题 ,本文采用一种新的 腐蚀法 ,一是不能蒸厚的复合金属膜 ,因湿法腐蚀钻 制作方法 ———剥离技术 。由于它没有“干 、湿法腐 蚀严重 ,因而得不到高的金属柱 ;二是湿法腐蚀后边 蚀”这道工序 ,也就是说不必对不同金属选用不同的 缘不整齐 ,且金属柱与衬底表面接触较小 ,容易导致 收稿 日期 :2005 - 0 1 - 20 . 金属柱脱落 。 1·15 · S