第2章基本电子器件.pptVIP

半导体的特性：光敏性－－－光照影响 热敏性－－－温度影响 掺杂性－－－杂质半导体 例 1 画出硅二极管构成的桥式整流电路在 ui = 15sin?t (V) 作用下输出 uO 的波形。 (按理想模型) O t ui / V 15 RL V1 V2 V3 V4 ui B A uO 2.2.5 二极管应用举例 O t uO/ V 15 O t ui / V 15 例 2 分析简单稳压电路的工作原理， R 为限流电阻。 IR = IZ + IL UO= UI – IR R UI UO R RL IL IR IZ 2.3　双极型晶体管 2.3.1 晶体三极管 2.3.2 晶体三极管的特性曲线 2.3.3 晶体三极管的主要参数 (Semiconductor Transistor) 2.3.1 晶体三极管 一、结构、符号和分类 N N P 发射极 E 基极 B 集电极 C 发射结 集电结 — 基区 — 发射区 — 集电区 emitter base collector NPN 型 P P N E B C PNP 型 E C B E C B 分类： 按材料分： 硅管、锗管 按功率分： 小功率管 500 mW 按结构分： NPN、 PNP 按使用频率分： 低频管、高频管 大功率管 1 W 中功率管 0.5 ?1 W 二、电流放大原理 1. 三极管放大的条件 内部 条件 发射区掺杂浓度高 基区薄且掺杂浓度低 集电结面积大 外部 条件 发射结正偏 集电结反偏 2. 满足放大条件的三种电路 ui uo C E B E C B ui uo E C B ui uo 共发射极 共集电极 共基极 3. 三极管内部载流子的传输过程 1) 发射区向基区注入多子电子， 形成发射极电流 IE。 I CN 多数向 集电结方向扩散形成 ICN。 IE 少数与空穴复合，形成 IBN 。 I BN 基区空 穴来源 基极电源提供(IB) 集电区少子漂移(ICBO) I CBO IB IBN ? IB + ICBO 即： IB = IBN – ICBO 2)电子到达基区后 (基区空穴运动因浓度低而忽略) I CN IE I BN I CBO IB 3) 集电区收集扩散过 来的载流子形成集 电极电流 IC IC I C = ICN + ICBO 4. 三极管的电流分配关系 5.三极管的电流放大作用 2.3.2 晶体三极管的特性曲线 一、输入特性 输入 回路 输出 回路 与二极管特性相似 O 特性基本重合(电流分配关系确定) 特性右移(因集电结开始吸引电子) 导通电压 UBE(on) 硅管： (0.6 ? 0.8) V 锗管： (0.2 ? 0.3) V 取 0.7 V 取 0.2 V 二、输出特性 iC / mA uCE /V 50 μA 40 μA 30 μA 20 μA 10 μA IB = 0 O 2 4 6 8 4 3 2 1 截止区： IB ? 0 IC = ICEO ? 0 条件：两个PN结反偏 截止区 ICEO iC / mA uCE /V 50 μA 40 μA 30 μA 20 μA 10 μA IB = 0 O 2 4 6 8 4 3 2 1 2. 放大区： 放大区 截止区 条件： 发射结正偏 集电结反偏 特点： 水平、等间隔 ICEO iC / mA uCE /V 50 μA 40 μA 30 μA 20 μA 10 μA IB = 0 O 2 4 6 8 4 3 2 1 3. 饱和区： uCE ? u BE uCB = uCE ? u BE ? 0 条件：两个PN结正偏 特点：IC ? ? IB 临界饱和时： uCE = uBE 深度饱和时： 0.3 V (硅管) UCE(SAT)= 0.1 V (锗管) 放大区 截止区 饱 和 区 ICEO 三、温度对特性曲线的影响(略) 1. 温度升高，输入特性曲线向左移。 温度每升高 1?C，UBE ? (2 ? 2.5) mV。 温