第2章电力电子器件2.pptVIP

MOSFET的漏极伏安特性： 截止区（对应于GTR的截止区） 饱和区（对应于GTR的放大区） 非饱和区（对应于GTR的饱和区） 电力MOSFET工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。 电力MOSFET漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时器件导通。 电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。 电力MOSFET的转移特性和输出特性 b) 输出特性 电力场效应晶体管 2.4.3 2)???动态特性 开通过程 开通延迟时间td(on) —— up前沿时刻到uGS=UT并开始出现iD的时刻间的时间段。 上升时间tr—— uGS从uT上升到MOSFET进入非饱和区的栅压UGSP的时间段。 iD稳态值由漏极电源电压UE和漏极负载电阻决定。 UGSP的大小和iD的稳态值有关 UGS达到UGSP后，在up作用下继续升高直至达到稳态，但iD已不变。 开通时间ton——开通延迟时间与上升时间之和。 图2-21 电力MOSFET的开关过程 a) 测试电路 b) 开关过程波形 up—脉冲信号源，Rs—信号源内阻， RG—栅极电阻， RL—负载电阻，RF—检测漏极电流 电力场效应晶体管 2.4.3 关断过程 关断延迟时间td(off) ——up下降到零起，Cin通过Rs和RG放电，uGS按指数曲线下降到UGSP时，iD开始减小止的时间段。 下降时间tf—— uGS从UGSP继续下降起，iD减小，到uGSUT时沟道消失，iD下降到零为止的时间段。 关断时间toff——关断延迟时间和下降时间之和。 图2-21 电力MOSFET的开关过程 a) 测试电路 b) 开关过程波形 up—脉冲信号源，Rs—信号源内阻， RG—栅极电阻， RL—负载电阻，RF—检测漏极电流 电力场效应晶体管 2.4.3 MOSFET的开关速度 MOSFET的开关速度和Cin充放电有很大关系。 使用者无法降低Cin，但可降低驱动电路内阻Rs减小时间常数，加快开关速度。 MOSFET只靠多子导电，不存在少子储存效应，因而关断过程非常迅速。 开关时间在10~100ns之间，工作频率可达100kHz以上，是主要电力电子器件中最高的。 场控器件，静态时几乎不需输入电流。但在开关过程中需对输入电容充放电，仍需一定的驱动功率。开关频率越高，所需要的驱动功率越大。 电力场效应晶体管 2.4.3 绝缘栅双极晶体管 GTR和GTO的特点——双极型，电流驱动，有电导调制效应，通流能力很强，开关速度较低，所需驱 动功率大，驱动电路复杂。 MOSFET的优点——单极型，电压驱动，开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小而且驱动电路简单。 两类器件取长补短结合而成的复合器件—Bi-MOS器件 ?绝缘栅双极晶体管（Insulated-gate Bipolar Transistor— —IGBT或IGT） ?GTR和MOSFET复合，结合二者的优点，具有好的特性。 ?1986年投入市场后，取代了GTR和一部分MOSFET的市场,中小功率电力电子设备的主导器件。 ?继续提高电压和电流容量，以期再取代GTO的地位。 其研制水平已达4500V/1000A 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 1. IGBT的结构和工作原理 三端器件：栅极G、集电极C和发射极E 图2-22 IGBT的结构、简化等效电路和电气图形符号 a) 内部结构断面示意图 b) 简化等效电路 c) 电气图形符号 2.4.4 ? 驱动原理与电力MOSFET基本相同， 场控器件，通断由栅射极电压uGE决定。 导通：uGE大于开启电压UGE(th)时，MOSFET内形成沟道，为晶体管提供基极电流，IGBT导通。 IGBT的原理 绝缘栅双极晶体管 2.4.4 导通压降：电导调制效应使电阻RN减小，使通态压降小。 关断：栅射极间施加反压或不加信号 时，MOSFET内的沟道消失，晶体 管的基极电流被切断，IGBT关断。 E C 2. IGBT的基本特性 1)?IGBT的静态特性 图2-23 IGBT的转移特性和输出特性 a) 转移特性 b) 输出特性 绝缘栅双极晶体管 2.4.4 转移特性——IC与UGE间的关系，与MOSFET转移特性类似。 开启电压UGE(th)——IGBT能实现电导调制而导通的最低栅射电压。 UGE(th)随温度升高而略有下降，在+25?C时，UGE(th)的值一般为2~6V。 图2-23 IGBT的转移特性和输出特性 a) 转移特性 绝缘栅双极晶体管 2.4.4 输出特性（伏安特性） —以UGE为参考变量时， IC与UCE间的关系。 分为三个区域：正向阻断区、有源区和饱和区。分别与GTR的截止区、放大区和