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第3章,光电导器件,半导体光电器件,光电器件,光电功能材料与器件,精密光电薄膜元器件,光电器件有哪些,光电耦合器件,光电材料与器件,有机光电材料与器件,光电转换器件
第三章 光电导器件 1,基本原理: 如果把光敏电阻连接到外电路中,在外加电压的作用下,用光照射就能改变电路中电流的大小: 光敏电阻阻值对光照特别敏感,是一种典型的利用光电导效应制成的光电探测器件。 对于本征型,可用来检测可见光和近红外辐射 对于非本征型可以检测波长很长的辐射 2,基本结构: 组成:它由一块涂在绝缘基底上的光电导材料薄膜和两端接有两个引线,封装在带有窗口的金属或塑料外壳内。电极和光电导体之间呈欧姆接触。 1、光电特性: 强光下,光照增强的同时,载流子浓度不断的增加,同时光敏电阻的温度也在升高,从而导致载流子运动加剧,因此复合几率也增大,光电流呈饱和趋势。(冷却可以改善) 2、伏安特性: 在一定的光照下,光电流 I光与所加电压U的关系 一定的光照下,I光与电压U的关系; 相同的电压下,I光与光照E的关系 (1) 光敏电阻为纯电阻,符合欧姆定律,对多数半导体,当 电场强度超过104伏特/厘米 (强光时),不遵守欧姆 定律。硫化镉例外,其伏安特性在100多伏就不成线性了。 (2)光照使光敏电阻发热,使得在额定功耗内工作,其最高使用电压由其耗散功率所决定,而功耗功率又和其面积大小、散热情况有关。 (3)伏安特性曲线和负载线的交点即为光敏电阻的工作点。 3、温度特性: 温度的变化,引起温度噪声,导致其灵敏度、光照特性、响应率等都发生变化。为了提高灵敏度,必须采用冷却装置,尤其是杂质型半导体受温度影响更明显。 4、时间响应: 时间特性与光照度、工作温度有明显的依赖关系。 时间响应及其与照度的关系 5、噪声特性: 热噪声、产生复合噪声 、1/f 噪声与调制频率的关系 (1) 红外:减小温漂,使信号放大,可调制较高的f (2)制冷可降低热噪声 (3)恰当的偏置电路,可使信噪比最大 6、光谱特性:相对灵敏度与波长的关系 可见光区光敏电阻的光谱特性: 光谱特性曲线覆盖了整个可见光区,峰值波长在515~600nm之间。尤其硫化镉的峰值波长与人眼(380~780nm )的很敏感的峰值波长(555nm)是很接近的,因此可用于与人眼有关的仪器,例如照相机、照度计、光度计等。 由基本特性得到的光敏电阻主要参数 1)亮电阻(kΩ):指光敏电阻器受到光照射时的电阻值。 2)暗电阻(MΩ):指光敏电阻器在无光照射(黑暗环境)时的电阻值。 3)最高工作电压(V):指光敏电阻器在额定功率下所允许承受的最高电压 4)亮电流:指光敏电阻器在规定的外加电压下受到光照射时所通过的电流。 5)暗电流(mA):指在无光照射时,光敏电阻器在规定的外加电压下通过的电流。 6)时间常数(s):指光敏电阻器从光照跃变开始到稳定亮电流的63%时所需的时间。 7)电阻温度系数:指光敏电阻器在环境温度改变1℃时,其电阻值的相对变化。 8)灵敏度:指光敏电阻器在有光照射和无光照射时电阻值的相对变化。 光敏电阻的配置电路 3.1 基本偏置电路 设在某照度Ev下,光敏电阻的阻值为R,电导为g,流过偏置电阻RL的电流为IL 用微变量表示 而,dR=d(1/g)=(-1/g )dg dg=S dE 因此 2 2 g v 设iL=dIL,ev=dEv,则 加在光敏电阻上的电压为R与RL对电压Ubb的分压,即UR=R/(R+RL) Ubb,因此,光电流的微变量为 将式(3-22)代入式(3-21)得 (3-21) (3-22) (3-20) (3-23) 偏置电阻RL两端的输出电压为 从式(3-24)可以看出,当电路参数确定后,输出电压信号与弱辐射入射辐射量(照度ev)成线性关系。 (3-24) 3.2 恒流电路 在简单偏置电路中,当RL?R时,流过光敏电阻的电流基本不变,此时的偏置电路称为恒流电路。然而,光敏电阻自身的阻值已经很高,再满足恒流偏置的条件就难以满足电路输出阻抗的要求,为此,可引入如图3-13所示的晶体管恒流偏置电路。 稳压管DW将晶体三极管的基极电压稳定,即UB=UW,流过晶体三极管发射极的电流Ie 为 (3-25) 图3-13 恒压偏置电路 在晶体管恒流偏置电路中输出电压Uo为 求微分得 将 代入(3-27)得 (3-27) (3-26) 或 显然,恒流偏置电路的电压灵敏度SV为 (3-28) (3-29) (3-30) 图3-13 恒压偏置电路 3.3 恒压电路 利用晶体三极管很容易构成光敏电阻的恒压偏置电路。如图3-14所示为典型的光敏电阻恒压偏置电路。 光敏电阻在恒压偏置电路的情况下输出的电流IP与处于放大状态的三极管发射极电流Ie近似
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