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2017-08-21 发布于山西
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第4章+集成放大器.pdf

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模拟电子学基础第4 章集成放大器本章讨论的内容鉴于电子线路的日益集成化，从事电子学研究和应用的人必须了解集成电路的结构、特点及其工作方式本章讨论：1、集成电路的总体结构与特点 2、集成电路中最重要的几种内部电路 3、应用最广泛的模拟集成电路——集成运算放大器 2012-2-29 模拟电子学基础 2 集成电路的发明集成电路的概念由英国科学家G. W. A. Dummer 于1952年提出 1958年，TI公司的 J. Kilby 制造出世界上第一个集成电路第一个集成电路 Dummer Kilby 2012-2-29 模拟电子学基础 3 集成电路  将晶体管、场效应管、二极管以及电阻、电容等元件通过一定的制造工艺制作在同一块半导体基片上的器件  基本材料是单晶硅，可以是P型或N型  通常在一块硅晶片上同时制造几百到几千个集成电路芯片（管芯），每个管芯经过初测后用划片机划开，将初测合格的管芯封装后，再经过老化、测试等工序，就成为集成电路产品。 2012-2-29 模拟电子学基础 4 集成电路工艺简介 基本工艺：氧化、掩模、光刻、扩散、外延、淀积、蒸发等  一个完整的制造过程包含一系列掩模、光刻和扩散过程 2012-2-29 模拟电子学基础 5 BJT晶体管的结构  同时制造NPN和PNP两种类型BJT NPN型晶体管 PNP型晶体管(横向晶体管）集电极发射极基极基极集电极发射极 SiO 2 SiO 2 P P P P N P P N 基区 P N+ P 衬底隐埋层外延层隔离岛扩散区 2012-2-29 模拟电子学基础 6 CMOS场效应管的结构  互补型金属－氧化物－半导体 Complementary Metal-Oxide-Semiconductor P沟道MOSFET N沟道MOSFET B S G DD G S B P 沟道 P N 沟道 N