单片机原理与接口技术（ 第二版） 高职计算机应用技术专业 第8章 存储器扩展.ppt

尚辅网 高等职业教育 计算机类课程规划教材 8.1.1 半导体存储器的基本结构 半导体存储器类型很多，但基本结构差别不大，都是由存储阵列、地址译码器、三态双向缓冲器和控制电路四部分组成。 存储阵列是存储器的主体，是用来存储信息的部分; 其他部分用来实现对存储阵列的访问。 存储器的基本结构如图8-1和图8-2所示。 1.存储阵列 存储阵列由若干存储单元构成，每个存储单元保存若干二进制位信息，每个二进制位对应一个基本存储电路。 设存储器中地址线条数为N，数据线条数为M，则有下面的关系: 字数=2 N 字长=数据线条数=M 基本存储电路个数=字长*字数 2.地址译码器 地址译码器由地址寄存器和地址译码器两部分组成。 地址寄存器用于存放 CPU送来的地址码，其位数通常由地址线条数决定; 地址译码器用于对地址寄存器中的地址码进行译码，译码后产生的 “字选择线” 可用来选择存储阵列中的相应存储单元工作。 （1）单译码编址 在单译码编址存储器中，字数与 “字选择线” 总数的关系是: 字数= “字选择线” 总数 显然，存储器的存储容量越大，存储单元越多，所需要的 “字选择线” 总数越多。 （2）双译码编址 在双译码编址存储器中，采用将两部分编码进行组合的方法实现字的选择。 地址线条数为N的双译码编址存储器中，“字选择线” 总数为2P +2N-P 条。而同样的地址线条数，在单译码编址存储器中，“字选择线” 总数为2N 。随着地址线数N的增大，双译码编址方式大大减少了存储器的 “字选择线” 总数。 3.三态双向缓冲器 三态双向缓冲器用于锁存从存储阵列中读出被选中存储单元中的每位信息，或用来存放被写存储单元所需要的写入信息，因此它是双向缓冲器，其位数等于存储阵列中存储单元的位数M（字长）。 三态双向缓冲器受控制电路和输入/输出允许控制引脚控制。 4.控制电路 控制电路通过对CPU送来的读/写控制信号和片选信号进行组合变换后对存储器的其他部件进行控制。片选信号无效时，存储器处于禁止工作状态; 片选信号有效时，存储器处于工作状态，由读/ 写控制信号决定其操作类型。 8.1.2 半导体存储器的分类 1.只读存储器ROM ROM是只读存储器。ROM中所存储的信息是固定的、非易失性的，不会因为停电而消失。 在正常工作状态下，ROM中的信息只能读不能写，即不能修改ROM的内容，数据读出后原数据不变。ROM通常用来存储控制程序和控制常量。 （1）掩模ROM 掩模ROM中的信息是在制造芯片的掩模工艺时编程写入的。 用户无法根据需要写入自己的程序和常数。 （2）PROM PROM是可编程ROM。PROM 存储器在出厂时不存储任何信息，程序和常数的写入由用户来完成。 （3）EPROM EPROM是可擦除PROM。这是一种可多次写入的只读存储器，只是需要在编程前对其原有内容进行 “擦除”。 根据 “擦除” 方法的不同，EPROM可分为UVE-PROM和EEPROM。 （4）Flash Memory Flash Memory，快闪存储器，是一种新型的可擦除、非易失性存储器。它既有EPROM价格低，集成度高的优点，又有 EEPROM的可以电擦除和写入的特性。擦除和写入速度快，但只能整片擦除。 Flash Memory既可用作系统ROM，也可当成具有掉电保护功能的RAM来使用。 2.随机存取存储器RAM RAM是随机存取存储器。正常工作时信息既可以读出又可以写入。 数据读出后原数据不变，新数据写入后，原数据自然消失，并被新数据取代。因此，RAM 存储器可以用来存储实时数据、中间结果、最终结果或作为程序的堆栈区使用。但是，RAM是易失性存储器，掉电后其数据随即消失。 RAM 通常可分为静态RAM和动态RAM两大类，其差别主要在于基本存储电路存储信息的方式不同。 静态RAM依靠触发器来存储二进制信息，存储容量较小。 动态RAM依靠存储电容来存储二进制信息，存储容量大。 8.2.1 三总线结构 单片机扩展通常采用总线结构形式。 典型的单片机扩展系统结构如图8-3所示。 1.地址总线 地址总线用于传送单片机送出的地址信，以便进行存储单元和 I/O端口的选择。地址总线是单向的