低功耗宽带CMOS低噪声放大器.pdfVIP

第37卷 第5期 电 子 器 件 Vo1．37 No．5 2014年 10月 ChineseJournalofElectronDevices Oct．2014 Low-PowerConsumptionBroadband CMOSLow NoiseAmplifier SHAOXiangpeng，ZHANGWanrong ，DINGChunbao，ZHANGQingyuan，GAODong， ZHOUMenglong，LUDong，HUOWenjuan (Col ofElectronic蜘 rmationandControlEngineering，BeijingUniversityofTechnology，Beijing100124，China) Abstract：Alow-powerbroadbandlOW noiseamplifier(LNA)wasdemonstrated．TheLNA iscomposedofthree stages，by utilizing currentreuse configuration ateach stage ofthe amplifier，power consumption decreases noticeably．Negativezeroisgenerated inthecircuittocancelthenegativepoleand improve gainflatness．Ithas broadenedthebandwiththeuseofthelOWQvaluecircuit．Verifiedby0．18 mstandardCMOSprocess，thisLNA consumesonly4．89mWwitha3Vpowersupply．Inaddition，overthe1GHz～4．5GHzband，voltagegain(S21) maintains14．8dB+0．4dB，noisefiugre(NF)swingsfrom3．1dBto4．2dB，inputreflection(SI1)andoutput reflection(S22)raelessthan—lOdB．Thevalueofinputinterceptpoint(IIP3)is一11dBmat4GHz．Theresults suggestthatperformanceoftheLNA isfavorable． Keywords：low noiseamplifier；low powerconsumption；currentreuse；CMOS EEACC：1220 doi：10．3969／j．issn．1005—949O．2014．05．024 低功耗宽带 CMOS低噪声放大器米 邵翔鹏，张万荣 ，丁春宝，张卿远，高 栋，周孟龙，鲁 东，霍文娟 (北京工业大学电子信息与控制工程学院。北京 100124) 摘 要 ：实现了一款低功耗的宽带低噪声放大器(LNA)。该低噪声放大器由三级电路组成，由于每一级都采用了电流复用 技术，显著地降低了功耗。在电路中产生负零点来抵消极点，提高增益平坦度。低 Q值电路拓展带宽。经 0．18p,mTSMC CMOS工艺仿真验证，在 3V的电源电压下，功耗仅为4．89mw。另外在 1GHz～4．5GHz频带范围内，电压增益 (Js)为 (14．8±0．4)dB，噪声系数 (NF)介于3．1dB～4．2dB之间，输入、输出反射系数 (S S：：)均小于一1OdB。在4GHz时 ，输人三 阶交调点 (IIP3)达到一11dBm。结果表明该 LNA性能 良好。 关键词 ：低噪声放大器；低功耗；电流复用；CMOS 中图分类号：TN22．3 文献标识码 ：A 文章编号：1005—9490(2014)o5—0908—04 低噪声放大器一般位于接收机的第 1级，用于 的条件也因此愈发重要。 放大从天线接收到的有用信号，其性能不仅制约了 论文安排如下：第 1章节部分给出放大器的原 整个接收系统的性能 ，而且对于整个接收系统技 理与设计，第2章节部分展示仿真验证