电路与电子技术实验教程 教学课件 作者 付扬 第一 二章.pptVIP

(2)管子质量的判别 1)任意两极间正反向电阻均为零。2)A、K间正向电阻为低阻(注意：测量过程中黑表笔不要接触G极)。3)各极之间均为高电阻。 (3)晶闸管额定电压的选择　 晶闸管实际工作时承受的正常峰值电压应低于正、反向重复峰值电压UDRM和URRM，并留有2～3倍的额定电压值的裕量，还应有可靠的过电压保护措施。 (4)晶闸管额定电流的选择　 晶闸管实际工作通过的最大平均电流应低于额定通态平均电流，并应根据电流波形的变化进行相应换算，还应有1.5～2倍的裕量及过电流保护措施。 (5)关于门极触发电压和电流的考虑　 晶闸管实际触发电压和电流应大于晶闸管参数UG和IG，以保证晶闸管可靠地被触发，但也不能超过允许的极限值。 第五节　集成电路器件 一、集成电路的分类二、集成电路的命名三、集成电路引脚的识别四、集成电路使用注意事项 一、集成电路的分类 图2-20　常用集成电路外形 二、集成电路的命名 ①　74表示国际通用74系列(民用)；54表示国际通用54系列(军用)。②　H表示高速。③　L表示低速。④　LS表示低功耗。⑤　C表示只出现在74系列。⑥　M表示只出现在54系列。 二、集成电路的命名 表2-8　国际标准集成电路命名法、各部分符号及意义 二、集成电路的命名 表2-8　国际标准集成电路命名法、各部分符号及意义 三、集成电路引脚的识别 图2-21　集成电路引脚的识别a) 圆形　b) 扁平和双列直插型 四、集成电路使用注意事项 1)集成电路使用时，电源电压要符合要求。2)集成电路使用时，要考虑系统的工作速度，工作速度较高时，宜用TTL集成电路(工作频率大于1MHz)；工作速度较低时，应用CMOS集成电路。3)集成电路使用时，不允许超过其规定的极限参数。4)集成电路插装时，要注意引脚序号，不能插错。5)CMOS集成电路多余的输入端绝对不能悬空，要根据逻辑关系进行处理。6)集成电路焊接时，不得使用大于45W的电烙铁，连续焊接时间不能超过10s。7)MOS集成电路要防止静电感应击穿，焊接时有保证电烙铁外壳可靠接地，若无接地线可将电烙铁从电源拔下，利用余热焊接。 二、电感器的主要性能参数 (一)电感量(二)品质因数(三)分布电容及额定电流 (一)电感量 电感量是指电感器在通过变化的电流时产生感应电动势的能力，用L表示。电感量的大小根据线圈在电路中的用途来决定，它与磁导率μ、线圈单位长度中的匝数n及体积V有关。当线圈的长度远大于其直径时，电感量为L=μn2V　　电感量的常用单位为H(亨)、mH(毫亨)、μH(微亨)。 电感量的允许误差也取决于其用途，如用于滤波器或统调回路，其允许误差范围就小，而一般耦合线圈、扼流圈等，其允许的误差就大。 (二)品质因数 品质因数是反映电感器传输能量的大小，表示线圈质量的一个量，用Q表示。它是指线圈在某一频率的交流电压下工作时，线圈所呈现的感抗和线圈直流电阻的比值，即Q=ωLR式中，ω是工作角频率；L是线圈电感量；R是线圈电阻。 Q值越大，传输能量的能力也就越大，即损耗越小。Q值的提高往往受到一些因素的限制，如导线的直流电阻、线圈架的介质损耗，以及由于屏蔽和铁心引起的损耗，还有在高频工作时的集肤效应，因此实际上线圈的Q值不能做得很高，通常范围为50～300。 (三)分布电容及额定电流 线圈的匝与匝之间具有电容，线圈与地、与屏蔽盒之间也具有电容，这些电容称为分布电容。分布电容的存在，降低了线圈的稳定性，同时也降低了线圈的品质因数，因此一般都希望线圈的分布电容尽可能小。 额定电流主要对高频电感器和大功率调谐电感器而言。通过电感器的电流超过额定值时，电感器将发热，严重时会烧坏。 三、电感器的选择与测试 采用何种线圈必须考虑其工作频率。在选用电感器时首先应明确其使用频率范围，在音频段一般要用铁心线圈，在几百千赫到几兆赫(如中波广播段)的线圈最好用铁氧体心多股绝缘线绕制，这样可减少集肤效应，提高Q值。但是从几兆赫到几十兆赫时，则由于多股绝缘线间的分布电容作用及介质损耗增加，反而不宜用多股绝缘线，而宜用单股粗镀银铜线绕制，磁心采用短波高频铁氧体，也常用空气心的线圈。在100MHz以上时，一般已不能用铁氧体线圈，只能用空气线圈。若要作微调，可用铜心。 线圈在使用中应注意接线正确，特别注意不要误接到电压电路以免烧毁线圈及其他电子元件。线圈是磁感应元件，它对周围的电感性元件有影响。安装时一定要注意电感性元件之间的相互位置，一般应使相互靠近的电感线圈的轴线相互垂直，以尽量减少耦合。 第四节　半导体器件 一、半导体二极管二、晶体管三、场效应晶体管四、晶闸管 第四节　半导体器件 表2-7　国产半导体分立器件的型号命名 第四节　半导体器件 26C.TIF 一、半导体二极管 (一)二