电气控制与工程实习指南 教学课件 作者 丁学文 第十二章 电子器件与集成电路.pptVIP

第十二章 电子器件与集成电路 12.1半导体 12.1半导体12.1.1半导体的基本知识 所有的物质由原子有序的排列而成。原子由三种基本粒子组成，分别是质子、中子和电子。质子和中子构成了原子核，电子围绕着原子核高速旋转。物质的导电性能由原子最外层的电子（价电子）决定，导体的价电子数目只有一至两个，而绝缘体的价电子数目往往较多，半导体的价电子数目均为4个。就半导体元素硅和锗而言，其原子序数分别为14和32，但它们有一个共同的特点：即原子最外层的电子（价电子）数均为4，其原子结构简图和晶体结构如图12－1所示。 12.1.1半导体的基本知识 根据物体导电能力（电阻率）的不同，可以将物质划分为导体、绝缘体和半导体。导体的电阻率小于10－4Ω·cm，绝缘体的电阻率大于109Ω·cm，而半导体的电阻率介于中间。典型的半导体元素有硅（Si）和锗（Ge），此外，还有半导体化合物砷化镓（GaAs）等。在本征半导体中掺入微量的杂质可形成杂质半导体，杂质半导体分为P型（空穴型）半导体和N型（电子型）半导体。由于掺杂的影响，会使半导体的导电性能发生显著的改变。 12.1.1半导体的基本知识 N型半导体是在本征半导体中掺入微量五价元素磷、砷和锑等的杂质形成的，其共价键结构如图12－2（a）所示，形成惯性核正离子，且周围多余了一个带负电的自由电子（惯性核：是指原子核和它周围的全部电子，即离子，因体积大、重量重不能移动），自由电子的多少与掺杂的浓度有关。由于本征激发，也会出现一点空穴，但数量极少。所以在N型半导体中，自由电子为多数载流子，而空穴为少数载流子。见图12—3（a）电荷分布图。 12.1.1半导体的基本知识 P型半导体是在本征半导体中掺入微量三价元素硼、铟等杂质形成的，其共价键结构如图12－2（b）所示，形成惯性核负离子，且在周围有了一个带正电的空穴，这个空穴是根 据电荷平衡原理人们假想的一个正带电体，它以电荷递补的形式进行导电。空穴的多少与掺杂的浓度有关。由于本征激发，也会出现一点自由电子，但数量极少。所以在P型半导体中，空穴为多数载流子，自由电子为少数载流子。见图12—3（b）电荷分布图。 注意：不论N型半导体还是P型半导体都是电中性，对外不显电性。 12.1.2 PN结 1．PN结的形成 当P型半导体和N型半导体接触以后，由于交界两侧半导体类型不同，存在电子和空穴的浓度差。这样P区的空穴向N区扩散，N区的电子向P区扩散，由于扩散运动，在P区和N区的接触面就产生正负离子层。N区失掉电子产生正离子，P区得到电子产生负离子，这些离子固定在晶格上不能自由移动。称这个正负离子层为PN结。 在ＰＮ结的Ｐ区一侧带负电，Ｎ区一侧带正电。ＰＮ结便产生了内电场，内电场的方向从Ｎ区指向Ｐ区。内电场对扩散运动起到阻碍作用，电子和空穴的扩散运动随着内电场的加强而逐步减弱，直至停止。在界面处形成稳定的空间电荷区。 12.1.2 PN结 2. PN结的特性 （1）PN结的正向导通特性 给PN结加正向电压，即P区接正电源，N区接负电源，此时称PN结为正向偏置，如图12－5所示。 这时PN结的外加电场与内电场方向相反，当外电场大于内电场时，外加电场抵消内电场，使空间电荷区变窄，有利于多数载流子的扩散运动，形成正向电流。外加电场越强，正向电流越大，这意味着PN结的正向电阻变小。 12.1.2 PN结 （2）PN结的反向截止特性 给PN结加反向电压，即电源正极接N区，负极接P区，称PN结反向偏置，如图12－6所示。这时外加电场与内电场方向相同，使内电场的作用增强，PN结变厚，多数载流子扩散运动难以进行，但有助于少数载流子的漂移运动，少数载流子很少，所以电流很小，接近于零，即PN结反向电阻很大。 综上所述，PN结具有单向导电性，加正向电压时，PN结电阻很小，电流较大，是多数载流子的扩散运动形成的；加反向电压时，PN结电阻很大，电流很小，是少数载流子的漂移运动形成的。 12.2二极管和整流电路12.2.1二极管 1．二极管的结构和外形 将一个PN结，用塑料、玻璃或金属等材料做外壳封装起来就成为最简单的二极管。其中，正极从P区引出，为阳极；负极从N区引出，为阴极。根据所用半导体材料的不同，二极管可分为锗管和硅管。 接在二极管P区的引出线称二极管的阳极，接在N区的引出线称二极管的阴极。常见的二极管如图12－7所示。二极管的电气符号如图12－8所示，其中三角箭头表示正向电流的方向，正向电流从二极管的阳极流入，阴极流出。二极管的文字符号为V。 12.2.1二极管 2．二极管的伏安特性 二极管的伏安特性如图12－8所示。当二极管承受正向电压小于某一数值(称为死区电压)时，还不足以克服PN结内电场对多数载流子运动的阻挡作用，这一区段二极管正向电流IF很小，称为死区。通常，硅材料二极管