薄膜的制备.pptVIP

优点：膜层在基片上的附着力强，膜层 纯度高，可同时溅射多种不同成分的合 金膜或化合物。 缺点：需制备专用膜料，靶利用率低 溅射的基本原理 溅射是轰击粒子与靶粒子之间动量传递的结果。而整个溅射过程都是建立在辉光放电的基础之上，即溅射离子都来源于气体辉光放电。 辉光放电溅射指利用电极间的辉光放电进行溅射。辉光放电指在真空度约为1～10Pa 的稀薄气体中，两个电极之间加上电压时产生的一种稳定的自持放电，是气体放电的一种类型，并伴有辉光的气体放电现象。 辉光放电溅射，靶材作为阴极，被镀件作为阳极或偏置，可以放在阴极暗区之外任何方便的地方。 入射离子和固体表面相互作用引起的效应 入射到阴极靶表面的高能离子可能产生如下的作用 溅射出阴极靶原子。 ?产生二次电子。 溅射掉表面污染物，起到清洗靶面的作用。 离子被电子中和，以高能中性原子或以金属原子的形式从阴极表面反射。 进入阴极靶表面并改变表面性能。 溅射出的表面原子可能会 出现下面的情况 被散射回阴极。 被电子碰撞电离，或被亚稳原子 碰撞电离产生的离子加速返回到 阴极，或产生溅射作用或在阴极 区损失掉。 以荷能中性粒子的形式沉积 到基片或其他某些部位上， 即溅射镀膜的过程。 影响溅射率的主要因素 入射离子的种类不同对溅射率的影响也比较明显。入射离子的原子量越大，溅射率越高。同一周期中惰性气体的溅射率最高，惰性气体的优点是可以避免和靶材起化学反应。考虑到经济的原因，通常选用氩为工作气体。p52 溅射率还与离子的入射角度有关，当离子入射方向与被溅射的靶表面法线间的夹角在60°～70°之间时，溅射率最大。 溅射率随入射离子原子序数的变化而周期性地变化，溅射率与靶原子的序数同样显出周期性的关系。 溅射镀膜的类型 电极的结构、电极的相对位置以及溅射镀膜的过程可以分为二极溅射、三极溅射、磁控溅射、对向靶溅射、离子束溅射、ECR溅射等。 按溅射方式的不同，又可分为直流溅射、射频溅射、偏压溅射和反应溅射等。 p57 磁控溅射的特点 （1）电场与磁场正交设置，约束电子在靶面近域，致使靶面近域有高密度等离子体，溅射速率很高； （2）磁控溅射源相对被镀件独立，基片不再受电子轰击而升温，可对塑料等不耐高温的基片实现溅射镀膜； （3）磁控溅射源可以象热蒸发源一样使用，从而使被镀件的形状和位置不再受限制。 磁控溅射的两个弱点是 第一，不能实现强磁性材料的低温高速溅射，因为几乎所用的磁通量都是通过磁性靶的，所以在靶附近不能外加强磁场； ? 第二，靶的利用率较低（约30%），这是由于靶的侵蚀不均匀造成的。 p75 凝聚态结构与性质重点实验室 凝聚态结构与性质重点实验室 钙钛矿结构锰氧化物R1-xAxMnO3系列材料是电荷、自旋、轨道与晶格等多自由度强烈耦合的关联体系，其能带结构与电子自旋自由度密切相关，表现出丰富的物理现象。BiFeO3的晶体结构与钙钛矿结构稀土掺杂锰氧化物相似，因此…… * 本次实验是先将温度升至780℃，打开激光器沉积薄膜10min，镀上初始的薄膜层，以防通入氧气后，Si衬底表面再次氧化，之后再通入氧气。 * 可知薄膜为多晶且具有钙钛矿菱方结构 * 样品呈现了典型的金属-半导体相转变，其峰值温度点Tp约为140K。 * 定义电流由Si流向LTMO薄膜的压降为正偏电压。在很宽的温度范围内都观察到了较理想的p-n二极管的整流特性，这与传统的半导体p-n结类似。 I-V曲线还有一个特点，就是正向部分的斜率随温度降低而变小。这主要是由于界面层对载流子的俘获作用，由于Si与LTMO晶格失配较大，在界面处有较多缺陷，致使部分载流子被缺陷俘获。温度越低，载流子被俘获的越多，从而使得I-V曲线正向部分的斜率随温度降低而变小 * 当波长为532nm的调制脉冲激光照射在异质结表面时，光生电压在约394μs的时间内增大到最大值（Up），然后逐渐减小。在T=80K和T=290K时光生电压的最大值分别是13.7mV和1.3mV。光生电压的上升时间在不同温度下是几乎是相等的，这也证实了光生伏特过程是起源于光电效应而不是激光的热效应。 随着温度的升高，热涨落致使光生电压最大值总体呈现减小趋势，而且是非线性减小，这主要是由LTMO层发生金属绝缘体转变而导致的LTMO层能带结构的变化引起的。 由于稀土掺杂锰氧化物是一种窄禁带的半导体，能隙约为1eV[99,100]，Si的能隙大约为1.12eV，二者均小于激光光子的能量（2.34eV），因而在LTMO薄膜和Si衬底中就分别产生了空穴和电子。 光生电压通常与以下两个因素有关，就是光生载流子的累积和耗尽层的宽度。当温度增加，载流子与声子的碰撞几率增大，使得扩散到达耗尽区的载流子减少，导致光生载流子的积累就减少，这将会导致光生电压的减小，这与实验中