GaSb多晶薄膜性质研究.pdfVIP

新材料及新概念太阳电池．623． i T i i ri暑宣i置 6aSb多晶薄膜的性质研究 乔在祥孙云★何炜瑜刘玮何青李长健 (南开大学信息技术科学学院光电子研究所天津300071，E．mail：．suny@nankai．edu．cn) 摘要 底温度的升高，薄膜晶粒尺寸增大；光学测试表明，薄膜的吸收系数达到104cm．1，制备的薄膜的光学带隙为 加。 关键词 锑化镓；共蒸发；择优取向；光学带隙。 1引 言 光器【1】，高量子效率红外光电探测器【2】，高频器件【3]，机械级联太阳电池【4】，以及热光伏器件【5】等。 Method)【6】生长多晶块材和提拉法(Czochralski)r Feeding 方法在锑化镓单晶衬底上生长单晶外延层。这些制备方法获得GaSb电池的成本很高，包括昂贵的单晶衬底， 贵重的设备以及对实验条件要求较高的工艺过程。采用物理气相沉积方法在廉价的衬底上制备GaSh薄膜，是 一种比较好的实现低成本制备GaSb器件的途径。 本文采用共蒸发方法在普通的soda-lime玻璃上制备了GaSb薄膜，并对薄膜的性质进行了研究。 2实 验 GaSb薄膜的制备采用共蒸发的方法，衬底是经过清洗吹干的sodalime玻璃。薄膜开始蒸发前，系统真空 X X ’达到1 10‘4Pa，薄膜制备过程中，反应室真空维持在8 从独立的蒸发源进行蒸发。薄膜的沉积速率约为每分钟20nm。 采用荷兰Panalytical公司的X’Perpro 司的Invia型拉曼光谱仪(Raman)测试薄膜的结晶质量并对结果进行了分析。 3结果与讨论 3．1GaSb薄膜的XRD分析 图1为不同衬底温度制备的薄膜XRD测试结果，薄膜的结构为多晶结构，所有衍射峰位都与GaSb粉末 衍射的标准峰位相对应，强度较强的有(111)、(220)和(311)三个衍射峰。 ．624． 第十届中国太阳胄皂光伏会议论文集 L(hkl)=](P(h函k1)丽-Po(hkl)) 具有(111)择优取向。随衬底温度的升高，(111)峰的L因子略微增大。 -㈣ ．J／· 怍” ：·／·—。 嗯：： 口 ▲＼● ‘后 脚4．B．㈣I、q、▲、▲ o J 4●I 看屯量茸H量 0＼～·～_～· ●■● ●■ ％ q _ ％ T．(℃) 图1不同衬底温度GaSb 图2不同晶面择优因子