纳米Al薄膜表面形貌与导电性的分形表征.pdfVIP

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V01.19 第19卷第5期 传感技术学报 No.5 AND 2006年10月 CHINESEJOURNALOFSENSORSACTUATORS Oct.2006 Nano-AlSurfaceandElectrical CharacterizedFractal Film Resistivity by FU Guo-xin,YANG Yong—zhong。,DINGJian-ning,XIE Ji—chang 212013,China) films on l ordertO frac— Abstract:A1thin were Si(11)wafers deposited bymagnetronsputtering.Inacquire tal correlationfunctionwas to theatomicforce dimension(FD)of surface,height-height appliedanalyze Electrical ofthefilmwasexaminedwith microscopyimages.The conductivity four-probe Theresultsindicatethatthesurface and ofthefilmincreasewiththe resistivity sputtering quality,FD decreasewiththe isconcludedthattheFD be tOdescribe time,but Annealingtemperature.It mayapplied the and ofthefilm and the of resistivity perfectlyoptimizesputteringparameterssputtering morphologies procedure. thin words:fractal;Alfilm;surface Key morphology;resistivity 吲巳K℃:0520B;0220 纳米Al薄膜表面形貌与导电性的分形表征 付永忠。,丁建宁,解国新,杨继昌 (江苏大学微纳米技术研究中心,江苏镇江212013) 摘 要:磁控溅射法在Si(111)基底上制备了纳米舢薄膜,用高度相关函数法对薄膜的原子力显微镜图像进行分形维计算, 并用四点探针法测量了薄膜电阻.结果表明,随着溅射时间的延长,薄膜表面质量提高,分形维增大,电阻率也随着分形维的 增大而增大;随着退火温度的上升,薄膜表面质量下降,分形维和电阻率也随之降低.因此认为,分形维能够较好的表征薄膜 表面形貌,分形维与薄膜电阻率存在对应关系,并指出用分形维可以优化溅射工艺参数. 关键词:分形;Al薄膜;表面

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