InGaAs%2fSi雪崩光电二极管研究.pdfVIP

B．24 InGaAs／Si雪崩光电二极管的研究 彭红玲郑婉华陈良惠石岩渠红伟杨国华何国荣 (中国科学院半导体研究所 北京 100083) 摘要：设计了一种新型结构的lnGaAs／Si雪崩光电二极管(APD)．这种结构将光吸收区 (InGaAs)和Si的P．N结分开，由光吸收区入射的载流子在si倍增层得到放大，从而可以得 片的物理化学清洗及键合条件，制备得到的InGaAs／Si材料界面质量良好，可用于制备高带 宽、高灵敏度的应用于长波长光通信接收系统的接收机。 Si 关键词：雪崩光电二极管(APD)键合InGaAs PACC：2940P：4280S 1．引言 为了适应于光纤通信的两个低损耗窗口，长波长半导体激光器和高灵敏度 的探测器一直以来是关注的焦点。第一代光纤通信系统是以Si雪崩光电二极管 作为光电探测器；随着光纤通信技术正向着超高速、大容量方向发展，要满足 光纤通信的要求，则光电探测器必须具有长波长、高速、高效、低噪声和易于 集成等特点。对于0．92～1．65 am波长范围工作的高速大容量光通信系统， InGaAs／InP APD利用窄带隙的InGaAs材料作为探测器的吸收层，宽带隙的InP APD 作为倍增层，具有优于GeAPD的灵敏度和暗电流等性能。但是InGaAs／InP 暗电流较大，响应速度、灵敏度等都有一定的限制。 Sj作为一种宽带隙材料，如果能与InGaAs形成异质结结构制备出APD器 件，则可以兼备吸收层(1nGaAs)的响应波长长，倍增层材料Si的响应速度快、 噪声低的优点，制得量子效率很高、暗电流很小、增益带宽积很高的探测器， 以满足高速光网络的需求，对未来实现与硅的光电子集成电路具有非常重要的 现实意义。最先人们通过外延技术在Si上生长InGaAs材料，但这种材料的位错 和缺陷很大，不能满足系统器件要求。相对于通常的MOCVD、MBE生长方 法，键合具有很多的优势。键合相对来说实验方法简单；位错仅局域于界面， 使键合材料不受影响；键合可以无论晶向、晶格匹配，使集成技术的灵活性大 大提高【1】。因此通过键合技术将匹配生长在InP丰寸底上的InGaAs材料与Si键合， APD 从而形成一种新的InGaAs／Si异质结材料，是研制出性能优异的InGaAs／Si APD的电压和温度稳定性[LInGaAs／InP 的最好途径【2】。基于键合的InGaAs／Si APD的强，其灵敏度、增益带宽积、暗电流和过剩噪声因子都远远优于后者 【3】。 特别是对于各国目前重点发展的量子保密通信的关键器件——红外单光子 探测器，APD是最主要的器件，其目前的主要问题是暗计数率较高，响应恢复 时间较慢，后者可以通过改进外围电路提高，但最本质的提高手段还是材料特 性和工艺技术的提高【4】。目前已经有应用于量子通信的InGaAs／Si单光子APD的 器具有更低的暗电流、噪声和更高的单光子探测率。 APD结构参数，改进键合工艺参数，将晶格失 本文通过优化设计InGaAs／Si 配的InGaAs与Si材料直接键合，制备出高界面质量的InGaAs／Si材料，在此基础 上可以制备用于长距离光纤通信的APD。 2．InGaAs／SiAPD工作原理及键合实验 APD的结构如下图： 一种典型的InGaAs／Si GaAs吸收层 p—Si倍增 N电极 图1 InCraAs／SiAPD器件蟓理图 入射光经过InGaAs层吸收，到达P．Si层后，由于异质结界面电场比较高， 并且Si的电子空穴离化系数