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第六章 烧成与窑具 6.1 烧成制度 6.1 烧成制度 6.1 烧成制度 6.1 烧成制度 6.1 烧成制度 （四）烧成气氛对产品性能的影响 2. 特种陶瓷的烧成情况 对于一些半导体陶瓷（如BaTiO3 陶瓷 ），在还原性、中性和惰性气氛中烧成时，都要比在氧化气氛中烧成更有利于其半导体化，即更利于其室温电阻的降低。对于施主掺杂的高纯 BaTiO3 陶瓷而言，在缺氧气氛中烧成时，不仅可以使陶瓷材料半导体化，而且可以有效的扩大促使材料半导体画的施主添加剂的掺杂浓度范围： Gd掺杂BaTiO3 陶瓷的电导率与烧成气氛、 掺杂浓度的关系 电导率 Gd 掺杂量（mol.%） N2 中烧成 空气中烧成 先空气，后 N2中烧成 二、烧成制度的制定依据 （一） 坯釉在加热过程中的物理化学变化 通过分析坯体组分在加热过程中的物理化学变化，可初步得出坯体 在各温区所允许的最大升降温速度。例如： 1. 根据坯体的组成，由相关相图分析可知其大致的烧结温度范围。 一般长石质瓷（包括日用瓷、卫生瓷和电瓷）都是用长石、石英、粘土(高岭土)为原料配制成型，经高温煅烧而成，属于K2O－Al2O3－SiO2三元系统配料。为了使产品具有足够的机械强度和良好的热稳定性以及一定的半透明度，要求瓷坯中具有一定数量的莫来石和足够的玻璃相。 因此，长石质瓷的配料范围为： SiO2：65－75%；Al2O3：19－25％；（R2O＋RO）= 4－6.5％，其中R2O≮2.5% 。 长石质瓷配方区 制品中物相组成：莫来石、石英类矿物 、长石 （玻璃相） 长石质瓷坯体中的液相量随温度升高增加较慢，且其熔体粘度较大、随温度升高降低较慢，故长石质瓷具有较宽的烧成温度范围（大致在 50~80℃之间）。烧成温度 一般在1250~1350℃，低者可降到1200 ℃ 左右。 又如 MgO－Al2O3－SiO2三元系统相图，其低共融点高（1355℃）. 此系统与镁质陶瓷、堇青石瓷、滑石瓷等瓷制品密切相关。 MgO－Al2O3－SiO2相图的富硅部分 镁质陶瓷的主要原料是滑石（3MgO.4SiO2.H2O）与粘土（Al2O3. 2SiO2.2H2O）, 其组成范围一般都在烧滑石和烧高岭石的连线附近，如图中L、M、N各点。 滑石瓷的烧结范围狭窄，仅为 10~ 20℃。通过计算 L、M、N各点的液相 量变化就可以看出这一点。 所以滑石质 瓷中一般 限制粘土 的用量在 10%以下。 二、烧成制度的制定依据 （一） 坯釉在加热过程中的物理化学变化 2. 综合分析坯体的热分析资料（DTA、TG、TE、ITE（生坯）等）、烧结曲线、烧结试样的物相分析等，可以初步确定坯体在各温区允许的升降温速度。 200℃以上碳素及有机物燃烧 （四）烧成气氛对产品性能的影响 利用上图所示的坯体TE 和 ITE曲线，可以初步拟定一个理论烧成曲线(Fig.10-9)；然后再根据DTA及烧结曲线等进行修订(Fig. 10-10)。 （四）烧成气氛对产品性能的影响 高火保温 中火保温 二、烧成制度的制定依据 （二）坯体的形状、大小、厚薄及入窑水分 坯体体积越大、越厚，形状越复杂，则升降温速度应缓慢。入窑水分越高，则预热阶段的升温速度也要越缓慢。 （三）窑炉热工性能、燃料性质、装窑密度。——涉及窑内温差。 （四）烧成方法——一次烧成或二次烧成；低温素烧或高温素烧。 三、烧成制度的确定 （一）各阶段的升（降）温速度 1. 低温阶段——排除干燥残余水分 主要考虑入窑坯体的含水率高低，以及窑内温差大小、装窑密度，坯体 厚薄等因素来确定。如果入窑坯件含水率＜2%，则可较快地升温加热。 三、烧成制度的确定 （一）各阶段的升（降）温速度 2. 氧化分解阶段——发生各种氧化分解和晶型转变反应，排出大量气体。 一般地，隧道窑烧成时低温阶段的升温速度可设计为 100~150℃/h ; 墙地砖采用辊道窑烧成时，坯体入窑水分一般要求降到 1%以下，这时升温速度可达到 1000~1100℃/h 左右。 主要考虑入窑坯体的化学组成、几何因素，装窑密度、窑内温差；以及各种化学反应的速度、体积效应等来确定。一般地，在粘土的脱水温度范围、石英的晶型转变温度附近要适当缓慢升温。其他温区可适当快速升温。 同时保证足够浓的氧化气氛。 三、烧成制度的确定 （一）各阶段的升（降）温速度 2. 氧化分解阶段——发生各种氧化分解和晶型转变反应，排出大量气体。 另外，一般在氧化阶段结束、即将转入还原烧成之前进行一段时间的保温，谓之“中火保温”。其目的是使坯体内外温度趋于均匀、使坯体内部的氧化反应进行彻底。 高火保温 中火保温 三、烧成制度的确定 （一）各阶段的升（降）温速度 3. 高温阶段——发生各种氧化还原反应，生成