不同热处理工艺制备WO3电致变色薄膜及性能研究.pdfVIP

天津城建大学学报 李雅君等：不同热处理工艺制备WO，电致变色薄膜及性能研究 ·265· 存量增加．然而当热处理温度升高到400℃时，离子 由图 6可知，较低热处理温度下 (200，300℃) 储存量却明显减少，这是因为此时 WO3从非晶态转 薄膜在未通 电时光透过率略高于较高热处理温度下 变成结晶态 (与XRD分析相一致)，薄膜结构变得致 (400℃)光的透过率．这是由于当温度升高时，WO3 密 ，使得离子储存量降低．根据公式 ip：2．69× 由非晶态转变为结晶态，导致薄膜表面颗粒逐渐变 10刀 AD “Cv¨(其中：刀为电荷数 ，取值为 1；fn 大，造成薄膜厚度有所增加，从而使光透过率降低． 为峰值电流，A；J[)为Li扩散系数，crn2／s； 为薄 当热处理温度为 200，300℃时，薄膜的可见光透过 膜有效面积，cm2；C为电解液 中Li浓度 ，mol／cm3； 率调节范围分别为 54％和65％，此时薄膜的离子储存 v为扫描速率，V／s)lloJ可计算出，当热处理温度分别 量高，变色性能较好，所以可见光透过率调节范围较 为200，300，400℃