铝铜薄膜复合技术的研究现状.pdfVIP

HotW orkingTechnology 2014，Vo1．43，No．22 铝铜薄膜复合技术的研究现状 陈 丽 邢丕峰 ，魏成富3，郭建军2’蒋斌 f1．中国工程物理研究院 激光聚变研究中心，四川 绵阳 621900；2．西华大学 材料学院，四川 成都 610039；3．绵 阳师范学院，四川 绵阳 621000) 摘 要 ：综述 了铝、铜薄膜复合技术 的研究现状 ，介绍 了气相沉积法和扩散连接方法对铝、铜薄膜的复合 。气相沉积 分为化学气相沉积和物理气相沉积 ，最受人们青睐的是物理气相沉积中的磁控溅射沉积法 ；扩散连接方法 中讲述 了扩 散连接的过程 ，扩散工艺参数对扩散层组织结构 、扩散层厚度的影响。 关键词 ：铝 ；铜 ；薄膜 ；气相沉积 ；扩散连接 中图分类号：TG146．2 文献标识码 ：A 文章编号：1001—3814(2014)22—0026—04 Research ProgressofAluminum ／CopperThin Film Composite CHEN Li，XING Piing，WEIChengfu3，GUO Jianjun2，J NGBinz (1．ResearchCenterofLaserFusion，ChinaAcademyofEngineeringPhysics，Mianyang621900，China；2．SchoolofMaterial Science and Engineering，XihuaUniversity，Chengdu610039，China；3．M ianyangNormalUniversiyt，Mianyang621000， China) Abstract：Thevapordepositionna ddiffusionbondingofaluminum／copperfilmwassummarized．Thevapordeposition canbedivideintochemicalvapordeposition andphysicalvapordeposition．Themostpopularismagnetron sputtering deposition inphysicalvapordeposition．Th eprocessofdiuff sionbondingwasdescribed．Theeffectsofdiuff sionprocess praametersonthediuff sionlayerstructureandhtehticknessofthediuff sionlayerduringdiuff sionbondingwerestudied． Key words：almu inum；copper；film；vapordeposition；diuff sionbonding 铝铜复合件 由于低密度 、高强度 、抗侵蚀 、抗磨 面处易产生硬而脆的金属间化合物 ”。此外 ，铝和 损和 良好的导电导热性等优 良综合性能，在电力、化 铜均易氧化，并且铝的氧化膜很难消除，这就给复合 工 、机械制造 、微电子和航空航天工业 中的应用非常 带来了很大困难 ，因此将厚度在微米量级的铝 、铜薄 广泛 一【-。例如 ，用真空扩散焊连接 的铝和铜的密封 膜成功 的复合在一起并达到所要求 的性能将是一个 接头可用于制造冷冻设备和水循环装置 ，以及 电力 难题。 设备的电器接头；铝铜合金薄膜由于其 良好的导 电 对于一般薄膜连接用到的机械连接和胶接 ，其 和工艺特性而常用于集成电路的内连接材料 。鉴 优点是操作简单、没有脆性金属间化合物的产生 ，但 于这些优 良的性能和用途，本文提出了铝铜 的复合 机械连接连接效率低 ，结构质量大；胶接对质量的控 问题 。 制比较困难 ，容易受环境的影响，产生多余物 、影响