半导体光电器件-LED应用-显示与照明.pptVIP

如何解决散热问题 效率50%，辐射光能以外的全部能量包括电流通过n型和p型半导体以及阻挡层时的电 阻热以及电子自身的动能等均耗散在半导体中并集中阻挡层附近使之加热，造成p-n结 的温升，而这种温升使阻挡层电阻下降，势垒下降，降低了载流子复合的内、外量子效 率和发光效率。p-n极的高温同时还影响了荧光粉的发光效率甚至造成永久性破坏产生 光衰，并使原本应当很长的LED寿命大幅下降。 发热特性一直是LED照明的致命弱点，它是造成光衰加快和寿命缩短的主要原因。人 们用了很多方法来加快散热，比如铝质外壳、吹风结构、增加散热面积等，也有运用定 电流控制的手法来转嫁热能,但具有电源成本提高、使用寿命缩短、照明控制不灵活等缺 点。 在高功率下解决散热和延长LED寿命主要有以下几条途径： 如何解决散热问题 进一步提高LED的总光子效率，这一效率的提高意味着更多能量转换为光能辐射出 去，耗散在p-n结的能量的减少工作温度降低，这对p-n极自身的工作状态和荧光粉工作 条件和寿命的延长都是至关重要的。 LED是利用载流子复合发光的。在电子与空穴复合时其势能转化为光量子，这些光量 子直接向外辐射时可能成为输出光，而向内或向四侧辐射的部分则将被吸收转化为热 能，即使向外辐射的光子也将有部分为输出窗吸收或为其内表面反射后再吸收，最后成 为内部热耗。所以LED的光效不仅决定于其内光子效率(即其输入能量转化为光子能量 的效率)，而且与光子提取率即外光子效率直接相关。 进一步改进荧光粉，提高其量子效率和所能承受的工作温度，亦即发明一种高效高工 作温度荧光粉，使能在更高的工作温度下运转而不被破坏。 如何解决散热问题 白光LED不仅存在如上所述的载流子复合的光量子效率和光量子提取率的问题，而且 有输出光子与荧光粉作用转换为新光子的内、外量子效率问题，如何选择LED的发射波 长，寻找最佳匹配的高效荧光粉以取得最大光量子转换效率和光量子输出率，从而保证 高的发光效率也是白光LED的关键问题，这一问题仍有大量工作需要完成而这也正是减 缓LED发热问题的关键。 运用特殊散热填料来确保LED焊点和外壳之间的热量流通，散热填料的要求很高,它必 须具有很强的导热性和耐热性。 高功率下提升单芯片光效成为业界厂商的竞争焦点 2008年7月份，Osram宣布了最新的研发成果，大功率LED在350mA驱动下，光输出 达到了155流明，效率高达136流明/瓦，色温是5000k。Osram把这个成果归功于高度优 化的芯片技术，和先进的荧光粉技术，以及高效的封装技术完美结合。Osram已经把这 些相关的技术申请专利。 2008年11月，美国LED大厂Cree发布了大小为1 mm×1 mm高功率白光LED，在电流 为350mA的高功率和室温下，其发光效率可高达161 lm/W。对于这项新记录，Cree表示 这是芯片与封装技术提升的结果。该公司表示，他们即将生产这种具有纪录优势的 LED，将持续在生产过程中导入创新技术，预期一年内将开始量产这种高效能的LED。 对此，Cree向美国专利商标局（USPTO）申请的20080272386号专利，已于11月公 开，内容是使用激光剥削或切削（laser ablation or sawing）技术直接在碳化硅（SiC） 高功率下提升单芯片光效成为业界厂商的竞争焦点 基板上刻出凹槽（(trenches)，再利用旋转涂布法将半导体纳米晶体或萤光粉等萤光材 料填入凹槽中，在凹槽间形成一个凸面桥，这个方法可以让白光LED变得更小、更容 易制造。这些萤光填充物能把SiC基板上的GaN LED所发出的窄频域蓝光，转换成宽带 谱的白光。专利发明人Peter Andrews指出，与目前将LED置于杯状基座（submount）中 并以光转换材料封装的技术相比，在基板上刻蚀出凹槽是一大进展，因为前者会限制 白光LED的最小尺寸。为了协助光脱离LED，厂商会改变基座的形状并提高其反射率， 而Cree的凹槽设计也有提高光萃取率的作用。 除了传统LED使用的萤光粉外，在凹槽中引进硒化镉（CdSe）等半导体纳米微晶， 也有助于控制发光波长。Cree建议以喷墨印刷、网印与喷枪应用系统取代常见的旋涂 法，将这类新颖材料填入凹槽中。尽管采用新的波长转换材料并增加了凹槽设计， 高功率下提升单芯片光效成为业界厂商的竞争焦点 LED裸晶仍保有传统的标准电极结构，因此可继续封装成LED，或直接那来使用，例 如直接被固定在电路板或基板上作应用。 第五章 照明市场受惠于各国产业扶持政策 LED 灯不含铅和汞等有害物质，无频闪，属于绿色光源；并且采用LED 照明可大幅 减少电力需求，进一步减少温室气