电子技术教学课件 作者 王金花 王树梅 孙卫锋 第1单元 半导体器件.ppt

* （2）检查好坏。 可通过测量正、反向电阻来判断二极管的好坏。一般小功率硅二极管反向电阻为几百千欧到几千千欧，锗管为100?～1k?。若正、反向电阻相差很大，说明二极管单相导电性能好；若两次测量的阻值相差很小，说明该二极管已失去单向导电性；若两次测量的阻值均很大，说明该二极管已开路。 （3）判别硅、锗管。 若不知被测的二极管是硅管还是锗管，可根据硅管、锗管的导通压降不同的原理来判别。将二极管接在电路中，当其导通时，用万用表测其正向压降，硅管一般为0.6～0.7V，锗管为0.1～0.3V。 （三）实训：二极管伏安特性的测试 1．实训目的 （1）掌握电路的正确连接方法。 （2）学会用电压—电流法（逐点测试法）测试二极管伏安特性曲线。 （3）进一步深入体会二极管是一种非线性器件。 2．实训器材 直流稳压电源、万用表、实训电路板、二极管、电阻等。 3．实训电路及实训原理 图1-14 二极管伏安特性测试电路 调节电位器RP可改变加在二极管两端的电压值，从电压表和电流表中可读出二极管两端的电压与流过二极管的电流。 4．实训内容及步骤 （1）根据图1-14连接电路，经检查无误后接通电源。 （2）调节RP，记录不同阻值时流过二极管的电流和该管两端的电压，填入表1-4中。 项目二　三极管和场效应管的判别与检测 一、项目导入 双极型三极管和场效应管都属于有3个电极的半导体器件，都可作为放大器或开关使用，是最基本的半导体器件。掌握双极型三极管和场效应管的相关知识与技能是学好电子技术的基本要求。 通过对本项目的学习，应理解双极型三极管和场效应管的结构、工作原理、伏安特性及主要参数，掌握三极管的识别与检测方法。 二、相关知识 （一）晶体三极管 1．晶体三极管的结构及分类 结构:是由两个PN结组成的，在结构上都有3个区，即发射区、基区和集电区，两个PN结，即发射结和集电结组成。由3个区分别引出的3根电极分别称为发射极E、基极B和集电极C。组成形式有两种：PNP型和NPN型。 内部结构：①发射区的掺杂浓度最高，集电区掺杂浓度较低且面积较大，基区掺杂浓度最低；②基区很薄。 分类：按结构分为PNP和NPN两种。其按工作频率分有高频管和低频管；按耗散功率分有大、中、小功率管；按材料分有硅管和锗管等。 图1-18 常见三极管实物图 2．三极管的电流分配和电流放大作用 图1-19 三极管电流分配实验电路 实验电路： 表1-5 三极管电流分配关系 4.05 3.18 2.36 1.54 0.72 ＜0.001 IE（mA） 3.95 3.10 2.30 1.50 0.70 ＜0.001 IC（mA） 0.10 0.08 0.06 0.04 0.02 0 IB（mA） 实验结果： 实验结论： ① 基极电流IB与集电极电流IC相比是很小的，例如IB=0.02mA时，IC=0.70mA?,?IE?=IB+IC=0.72mA，因此，IC≈IE。 ② 每组数据均满足IE?=?IC?+?IB； ③ 基极电流IB的微小变化ΔIB会引起集电极电流IC的很大变化ΔIC，ΔIC与ΔIB的比值称为三极管的共发射极电流放大系数，用β表示，即 注意：三极管是一种电流控制元件。 3．三极管的伏安特性曲线 三极管的特性曲线用来表示三极管各电极的电压和电流之间的关系，在分析和计算三极管电路时是很有用处的。三极管的特性曲线有输入特性曲线和输出特性曲线。 （1）输入特性曲线 输入特性曲线是在保持集电极与发射极之间的电压UCE为某一常数时，输入回路中的基极电流IB同基极与发射极 间电压UBE的关系曲线，即 图1-20 三极管的输入特性曲线 可见，三极管的输入特性是非线性的，与二极管的正向特性相似，也有一段死区电压（硅管约0.5V，锗管约0.2V）。当三极管正常工作时，发射结压降变化不大，该压降称为导通电压（硅管为0.6～0.7V，锗管为0.2～0.3V）。当UCE≥1时，输入特性曲线会向右平移，并且UCE≥1以后的输入特性曲线基本上是重合的，所以只画出UCE≥1V的一条输入特性曲线即可。 （2）输出特性曲线 输出特性曲线是指基极电流IB一定时，三极管集电极电流IC同集电极与发射极之间的电压UCE的关系曲线，即 三极管的输出特性曲线 截止区：IB?=?0的曲线以下的区域称为截止区。 截止区的特点：IB?=?0，IC?≈?0，相当于晶体管的3个极之间都处于断开状态。但为了使晶体管可靠截止，通常使发射结反向偏置，即UBE＜0。此时三极管的发射结和集电结都处于反向偏置状态，集电极与发射极之间相当于一个开关的断开状态。