电子技术教学课件 作者 王金花 王树梅 孙卫锋 第6单元 可控整流电.ppt

这样该电路可以等效成图（b）所示的形式，单结晶体管可以用一个PN结和两个电阻RB1、RB2组成的等效电路替代。 当基极间加电压UBB时，RB1上分得的电压为 式中，?称为分压比，与管子的结构有关，为0.5～0.9。 2．单结晶体管触发电路 图（a）是由单结晶体管组成的张弛振荡电路，可从电阻R1上取出脉冲电压ug。图的R1和R2是外加的，不是上图（b）中的RB1和RB2。 假设在接通电源之前，电容C上的电压uC为零。接通电源后，电源经R向电容器充电，使其端电压按指数曲线升高。电容器上的电压就加在单结晶体管的发射极E和第一基极B1之间。 当uC等于单结晶体管的峰点电压UP时，单结晶体管导通，电阻RB1急剧减小（约20?），电容器向R1放电。由于电阻R1取得较小，放电很快，放电电流在R1上形成一个脉冲电压ug，如图（b）所示。 由于电阻R较大，当电容电压下降到单结晶体管的谷点电压UV时，电源经过电阻R供给的电流小于单结晶体管的谷点电流，于是单结晶体管截止。电源再次经R向电容C充电，重复上述过程。于是在电阻R1上就得到一个的脉冲电压ug。 3．单结晶体管的保护 （1）在第二基极B2上串联1个限流电阻R2，限制单结管的峰值功率。 （2）电路中的电容C或峰值电压较大时，电容C上应串联一个保护电阻，以保护发射极E不受到电损伤。 例如，电容C大于10?F或峰值电压大于30V时就应适当串联电阻，这个附加电阻的阻值至少应取每微法串1?电阻。 否则，较大的电容器放电电流会逐渐损伤单结管的EB1结，使振荡器的振荡频率或单稳电路的定时宽度随着时间的增长而逐渐发生变化。串联保护电阻的电路如图所示。 6.4 项目实施 １．实训目的 （1）学习和了解单节晶体管的工作特性。 （2）学习单结晶体管触发电路的原理及应用。 ２．实训设备 万用表1块，示波器1台，可调整流电源及稳压管等，单向晶闸管1个、灯泡1个、阻容元件若干，实训板1块。 （一）单结晶体管的识别与检测 判断单结晶体管发射极E的方法是：把万用表置于R???100挡或R?1k挡，黑表笔接假设的发射极，红表笔接另外两极，当出现两次低电阻时，黑表笔接的就是单结晶体管的发射极。 1．单结晶体管的识别 单结晶体管B1和B2的判断方法 把万用表置于R???100挡或R???1k挡，用黑表笔接发射极，红表笔分别接另外两极，两次测量中，电阻大的一次红表笔接的就是B1极。 应当说明的是，上述判别B1、B2的方法不一定对所有的单结晶体管都适用，有个别管子的E、B1间的正向电阻值较小。不过准确地判断哪个极是B1，哪个极是B2在实际使用中并不特别重要。即使B1、B2用颠倒了，也不会使管子损坏，只会影响输出脉冲的幅度（单结晶体管多作脉冲发生器使用），当发现输出的脉冲幅度偏小时，只要将原来假定的B1、B2对调过来就可以了。 按上述方法用万用电表分别测量EB1、EB2间的正、反向电阻，记入表中，并作出结论。 测量结果 REB1(?) REB2(?) RB1E(k?) RB2E(k?) 结 论 2．单结晶体管的检测 单结晶体管性能的好坏可以通过测量其各极间的电阻值是否正常来判断。将万用表置于R?×?1k挡，黑表笔接发射极E，红表笔依次接两个基极（B1和B2），正常时阻值均应为几千欧至十几千欧。再将红表笔接发射极E，黑表笔依次接两个基极，正常时阻值为无穷大。 单结晶体管两个基极（B1和B2）之间的正、反向电阻值均为2～10k?，若测得某两极之间的电阻值与上述正常值相差较大，则说明该单结晶体管已损坏。 （二）单结晶体管触发电路的测试 可控整流电路的作用是把交流电转换为电压值可以调节的直流电。图所示为单结晶体管触发测试电路。 主电路由负载RL（灯炮）和晶闸管VT1组成，触发电路为单结晶体管VT2及一些阻容元件构成的阻容移相桥触发电路。改变晶闸管VT1的导通角，便可调节主电路的可控输出整流电压（或电流）的数值，这点可由灯泡的亮度变化看出。 操作步骤 断开工频电源，接入负载灯泡RL，再接通工频电源，调节电位器RW，使灯泡由暗到中等亮，再到最亮，用示波器观察晶闸管两端电压uT、负载两端电压uL，并测量负载直流电压UL及工频电源电压U2的有效值，记入表中。 表格 暗 较 亮 最 亮 uL波形 uT波形 导通角? U