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刻蚀、清洗、镀膜简介 周延丰 等离子刻蚀 干法刻蚀：激光刻蚀、等离子刻蚀 ＊缺点：衬底损伤、残余物污染、金属杂质 ＊优点：优势在于快速的刻蚀速率同时可获得良好的物理形貌（这是各向同性反应）、对温度变化不那么敏感、重复性好、避免了化学废液 湿法刻蚀：化学腐蚀 ＊缺点：缺乏各向同性、工艺难控制和过度的颗粒沾污 ＊优点：一般不产生衬底损伤 等离子刻蚀 刻蚀的目的 由于在扩散过程中，硅片的所有表面（包括边缘）都将不可避免地扩散上磷。PN结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到PN结的背面，而造成短路，所以要通过刻蚀去除边缘的扩散层。 等离子刻蚀 刻蚀的目的 等离子刻蚀 等离子刻蚀原理 等离子体刻蚀是采用高频辉光放电反应，使反应气体激活成活性粒子，如原子或游离基，这些活性粒子扩散到需刻蚀的部位，在那里与被刻蚀材料进行反应，形成挥发性生成物而被去除。 CF4----?CF3、CF2、CF、F、C以及他们的离子 等离子刻蚀 等离子刻蚀的一般步骤 1、反应室的气体被等离子体分离成可化学反应的元素 2、这些元素扩散并吸附在硅片表面 3、这些元素在硅表面上进行表面扩散，直到发生反应 4、反应生成物解吸，离开硅片并排放 等离子刻蚀 等离子刻蚀工艺参数 1、射频功率（反射功率）