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光电检测器件 Chapter 3 学习目标 光电探测器的物理效应 光电探测器的性能参数 光电导探测器 光电发射器件 光伏探测器 热电探测器件 光电成像器件 光调制器件 光电探测器 光辐射量转换成电量的光探测器 光电探测器的物理效应 光子效应：单个光子的性质对产生的光电子起直接作用； 光热效应：探测元件吸收光辐射能量后，并不直接引起内部电子的状态改变，吸收的光能转变为晶格的热运动能量，引起温度升高。 光电探测的物理效应——光子效应 光子效应（光电效应）——入射光的光子与物质中的电子相互作用并产生载流子的效应 外光电效应——现象：光电发射 内光电效应——光电导效应、光伏效应 截止波长 Eg 功函数 光电探测的物理效应——光热效应 光热效应——物体吸收光辐射，引起温度升高的一种效应 探测器常用Pt、Ni金属、热敏电阻、热释电器件、超导体 对光的波长没有选择性，红外波段热效应更强 温差效应 热释电效应 外光电效应——光发射效应 光发射效应——光照下，物体向表面外的空间发射电子（光电子） 能产生光电发射效应的物体，称为光电发射体，在光电管中称为光阴极 光电发射效应的条件 光电探测器特性参数 （积分）灵敏度 光谱灵敏度 响应时间 温度系数 噪声等效功率 灵敏度 光电流i（光电压）和入射光功率P之间的关系i=f（P）称为探测器的光电特性 电流灵敏度 电压灵敏度 单色灵敏度 积分灵敏度 单色（光谱）灵敏度 积分灵敏度 表示探测器对连续入射光辐射的反应灵敏程度。 假定总的光通量为 则由不同光辐射引起的光电流为 响应时间和频率响应 光电器件输出的电信号都要在时间上落后于作用在其上的光信号，即光电器件的电信号输出相对于输入的光信号要发生时间轴上的扩展，这种扩展可由响应时间来描述。 表示时间响应的方法：脉冲响应；频率响应 脉冲响应时间 描述光电探测器对入射辐射响应快慢的一个参数 当入射辐射或辐射遮断后，输出上升到稳定值或下降到照射前的值所需时间 频率响应 当入射光波长不变时，光电流if 随入射光的调制频率f 变化的特性参数 噪声等效功率NEP 最小可测功率，定义为当信号光电流等于暗电流时，即信噪比等于1时的信号光功率 探测度D和归一化探测度D* 探测度D——衡量光电器件探测能力的重要指标 D=1/NEP D的单位是W－1. 归一化探测度D* D*=1/NEP* D＊的单位是cm·Hz1/2/W 光电转换定律 探测器的量子效率 光电导探测器——光敏电阻 在光照下会改变自身的电阻率，光强越强，电阻越小 本征型光敏电阻用于可见光和近红外辐射探测 非本征型在低温下用于中、远红外探测 光电导效应 光照变化引起半导体电导变化的现象称为光电导效应。 光子激发的载流子仍在材料内部，因此是内光电效应。 本征光电导效应——只有光子能量大于材料的禁带宽度Eg的入射光，才能激发电子—空穴对，使材料产生光电导效应 存在截至波长，波长小于截至波长的入射光才能产生本征光电导效应 半导体材料两端有电极，沿电极方向加电场，在垂直于电极方向有均匀光照入射在半导体表面。入射光恒定时，样品中流出光电流为稳定光电流。 无光照时，材料暗态下电导为 有光照时，材料吸收光子能量产生光生载流子，亮态下电导为 亮电导和暗电导之差为光电导 亮电流与暗电流之差为光电流 光敏材料及特性 杂质光电导 杂质光电导是指杂质半导体中的施主或受主吸收光子能量后电离，产生自由电子或空穴，从而增加材料电导率的现象。 由于杂质光电导器件中施主和受主的电离能比同材料的本征半导体的禁带宽度要小很多，因此响应波长也比本征半导体的工作波长要长很多。 光谱特性 光谱特性用相对灵敏度与波长的关系曲线表示。 不同材料光谱响应范围不同，硒化镉光谱特性覆盖了可见光 光谱特性 紫外光敏电阻 CdS CdSe 可见光敏电阻 Se CdS CdSe GaAs Si Ge 光电自动开关门 路灯和照明系统的自动亮灭 自动给水装置 光电计数 红外光敏电阻 PbS PbTe PbSe 非接触测量 人体病变探测 光电特性 光电特性：在一定光照下，光敏电阻的光敏电流与光辐射的照度之间的关系 光敏电阻的阻值R与入射照度E在光照很低时随光照度的增加而迅速降低，表现为线性关系；当照度增加到一定程度后，阻值变化缓慢，然后趋于饱和。 光敏电阻的阻值R在某段照度E范围内的光电特性表现