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2-9 某种半导体材料,在有光照射时的电阻为50,无光照射时电阻为5,试求出该半导体材料的光电导。
解: 该半导体的暗电导为:
亮电导为:
光电导为:
2-10 要从电子逸出功为2.4金属中产生光电子发射,求:1)所需入射光的最低频率是多少?2)若入射光的波长为300时,则发射出来的光电子的最大动能是多少?
解:(1)根据光电发射效应中光电能量转换的基本关系:
所需的最低频率就是使光电子逸出的初始动能为0,则:
(2)根据光电发射效应中光电能量转换的基本关系:
2-11 某光电阴极在波长为520的光照射下,光电子的最大动能为0.76,求此光电阴极的逸出功是多少?
解:根据光电发射效应中光电能量转换的基本关系:
3-9 若甲、乙两厂生产的光电器件在色温2856标准钨丝灯下标定的灵敏度分别为,。试比较甲、乙两厂光电器件灵敏度的高低。
解:因为色温2856标准钨丝灯下的光视效能为17,所以:
显然,,因此乙厂生产的光电器件灵敏度较高。
3-10 某光电探测器件的光敏面直径为0.5,比探测率,将它用于的光电仪器系统中,问它能探测的最小辐射功率为多少?
解:比探测率
所以,探测率
最小探测功率
3-11 若PMT的阳极灵敏度,阴极灵敏度,其倍增极为11级。若PMT接收持续时间为1的光脉冲,且要求总增益的相对变化率为1%,问:(1)电源电压的稳定度为多少?(2)设各个分电压电阻上最小极间电压为80,最大阳极脉冲电流为150,则该PMT的最后三级分压电阻上的并联的三个电容值应为多少?
解:(1)电源电压的稳定度:
(2)
由PMT增益与灵敏度之间的关系:
PMT的增益与电子发射系数的关系为:
则:
所以:
3-12 某光电倍增管的阳极灵敏度为100,阴极灵敏度为2,要求阳极输出电流限制在100范围内,求允许的最大入射光通量。
解:光电倍增管的增益为:
阴极电流为:
所以最大入射光通量为:
3-13 某光敏电阻与负载电阻串接入12直流电源上,无光照时上输出电压为,有光照时上输出电压为2,试求:(1)光敏电阻的暗电流阻值和亮电阻值为多少?(2)若光敏电阻的光电导灵敏度为,求光敏电阻上所受的光照度。
解:(1)无光照时,串联电路中的电流为:
则暗电流电阻为:
有光照时,串联电路中的电流为:
则亮电流电阻为:
(2)该光敏电阻的光电导为:
由光电导灵敏度:
得:
3-14 已知光敏电阻的暗电流电阻,在照度为100时亮电阻,用此光敏电阻控制继电器,如图3-116所示,如果继电器的线圈电阻为4,继电器的吸合电流为2,问需要多少照度时才能使继电器吸合?如果需要在400时继电器才能吸合,则此电路需要作如何改进?
解:(1)该光敏电阻的光电导为:
光电导灵敏度为:
因为继电器线圈电阻为4,吸合电流为2,所以继电器所分得的电压为8,则光敏电阻的电压为4,此时光敏电阻的电阻为:
则电导为:
所需要的照度为:
(2)400时的光电导为:
则对应电阻:
在第一问中已经计算出吸合时光敏电阻的电阻为2,所以改进的方法是串联一个750的电阻。
3-15 有一光电池,在输入光通量为20时,其开路电压为30,短路电流为60,试求出最佳负载电阻。
解:
3-16 某光敏二极管的结电容要求带宽为10,试求:(1)允许的最大负载电阻为多少?(2)若输出信号电流为10,只考虑电阻的热噪声时,求室温时信噪电流有效值之比?(3)如电流灵敏度为0.6时,求噪声等效功率?
解:(1)由得:
PN结电容和管芯电阻及负载电阻构成的时间常数,其中普通PN结硅光敏二极管的管芯内阻约为250,有:
则允许的最大负载电阻为:
(2)热噪声均值电流为:
信噪比:
(3)由电流灵敏度,得:
噪声等效功率:
3-18 某热电探测器件的热容为100,热导为0.02,求该探测器件的最高工作频率。
解:
3-21 某三相线阵CCD衬底材料的热生少数载流子寿命,电荷从一个电极转移到下一个电极需,试求:(1)该线阵CCD时钟频率的上、下限为多少;(2)若该线阵CCD的转移效率为99.9%,求转移损失率。
解:(1)三相线阵
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