S2 光电探测器件 07.pptVIP

C2 光电探测器件 理学院 宋旸 2 光电探测器件 2.1 光电探测器的物理效应 2.2 光电探测器的性能参数 2.3 外光电效应型光电探测器 2.4 内光电效应型光电探测器 2.5 固体成像器件 2.6 光电探测光源 2.5 固体成像器件 2009 诺贝尔物理学奖 2009 诺贝尔物理学奖 1969年秋 贝尔实验室的威拉德.博伊尔和乔治.史密斯构思了电荷耦合器件的原理 2.5.1 电荷耦合器件 2.5.1 电荷耦合器件 2.5.1 电荷耦合器件 2.5.1 电荷耦合器件 2.5.1 电荷耦合器件 2.5.1 电荷耦合器件 2.5.1 电荷耦合器件 2.5.1 电荷耦合器件 2.5.1 电荷耦合器件 2.5.1 电荷耦合器件 2.5.1 电荷耦合器件 2.5.1 电荷耦合器件 2.5.1 电荷耦合器件 2.5.1 电荷耦合器件 2.5.1 电荷耦合器件 2.5.1 电荷耦合器件 2.5.1 电荷耦合器件 2.5.1 电荷耦合器件 2.5.1 电荷耦合器件 2.5.1 电荷耦合器件 2.5.1 电荷耦合器件 2.5.1 电荷耦合器件 2.5.1 电荷耦合器件 2.5.1 电荷耦合器件 CCD成像器件在既无光注入又无电注入情况下的输出信号称暗信号，即暗电流 暗电流的根本起因在于耗尽区产生复合中心的热激发 由于工艺过程不完善及材料不均匀等因素的影响，CCD中暗电流密度的分布是不均匀的 2.5.1 电荷耦合器件 2.5.1 电荷耦合器件 5 光谱响应 2.5.1 电荷耦合器件 2.5.1 电荷耦合器件 2.5.1 电荷耦合器件 2.5.1 电荷耦合器件 2.5.2 CMOS器件 2.5.2 CMOS器件 2.5.2 CMOS器件 2.5.2 CMOS器件 2.5.2 CMOS器件 2.5.2 CMOS器件 2.5.2 CMOS器件 2.5.2 CMOS器件 2.5.2 CMOS器件 2.5.2 CMOS器件 2.5.2 CMOS器件 2.5.2 CMOS器件 2.5.2 CMOS器件 采用CMOS技术可以将光电摄像器件阵列、驱动和控制电路、信号处理电路、模／数转换器、全数字接口电路等完全集成在一起，可以实现单芯片成像系统 ——Camera-On-A-Chip 2.5.2 CMOS器件 2.5.2 CMOS器件 2.5.2 CMOS器件 2.5.3 CCD VS CMOS 2.5.3 CCD VS CMOS 2.5.3 CCD VS CMOS 2.5.4 芯片的尺寸 2.5.4 芯片的尺寸 2.5.4 芯片的尺寸 2.5.4 芯片的尺寸 2.5.5 彩色摄像机 2.5.5 彩色摄像机 2.5.5 彩色摄像机 2.5.5 彩色摄像机 2.5.5 彩色摄像机 2.5.5 彩色摄像机 2.5.5 彩色摄像机 2.5.5 彩色摄像机 2.5.5 彩色摄像机 2.5.5 彩色摄像机 ③ 美国 Foveon 公司 多层感色 X3技术 2.5.5 彩色摄像机 ③ 美国 Foveon 公司 多层感色 X3技术 2.5.5 彩色摄像机 ③ 美国 Foveon 公司 多层感色 CCD技术 2.5.5 彩色摄像机 ③ 美国 Foveon 公司 多层感色 CCD技术 2.5.5 彩色摄像机 ③ 美国 Foveon 公司 多层感色 CCD技术 Click to edit company slogan . R/G/B CCD 红、绿、蓝方格图案滤光片 红外滤光片 变焦镜头 ②单片彩色摄像机 ②单片彩色摄像机 ②单片彩色摄像机 ②单片彩色摄像机 ②单片彩色摄像机 ②单片彩色摄像机 ②单片彩色摄像机 α越大，光在基板表面被迅速吸收 3.0 700 红 1.5 610 橙 1.2 580 黄 0.79 530 绿 0.32 460 蓝 0.093 400 紫 吸收一半光的深度/μm 波长/nm 颜色 ③ CCD的性能参数 3 暗电流 暗电流的危害有两个方面： 限制器件的低频限 引起固定图像噪声 ③ CCD的性能参数 4 灵敏度（响应度） 在一定光谱范围内，单位曝光量的输出信号电压（电流） 曝光量是光强与光照时间之积，也相当于投射在光敏元上的单位辐射功率所产生的电压 V/W ③ CCD的性能参数 CCD的光谱响应是指等能量相对光谱响应，最大响应值归一化为100%所对应的波长，称峰值波长，通常将10%（或更低）的响应点所对应的波长称截止波长。 长波端的截止波长与短波端的截止波长，两截止波长之间所包括的波长范围称光谱响应范围。 光谱响应由光敏元材料，结构尺寸差异，电极材料和器件转移效率不均匀等因素有关 ③ CCD的性能参数 6 噪声 散粒噪声：光注入，电注入或热产生的信号电荷包的电子数的不确定性，形成的白噪声 转移噪声：由