半导体的导电性.ppt

第四章半导体的导电性 4.1 载流子的漂移运动 4.1 载流子的漂移运动 迁移率 1. 欧姆定律 已知半导体的长为l,截面积为S，电阻率为?，则电阻为 R = ? l / S 电导为：G = 1 / R = ? S / l 类似于：C = ? S / l, C:电容， ? 介电常数或电容率。 ? = 1 / ?, ? 为电导率，单位是西门子/米(S/m,或1/ ?m) 与外加电压的关系为： I = V / R ------ 欧姆定律 但上式的参量均为广延量，不便于了解材料的性质. 利用：Ε = V / l . J = ?I / ? S，电流密度为流过单位面积的电流(沿垂直方向)。 对于均匀半导体来说，电流密度 J = I / S = ( V / R) / S = E l / (R S) = |Ε| / ? 利用电导率 ? = 1/ ?， 结论1) J = ? |Ε| ------ 欧姆定律的微分形式 2. 漂移速度和迁移率 漂移运动：电子在电场力作用下的定向运动。 其速度称之为：漂移速度vd。 一般考虑平均漂移速度vd。 电子导电：J = - n q vd。(q 为正，结论2) ) n 是导带中的电子密度， vd与外加电场成正比。 其线性关系的比例系数定义为： 由电子电导产生的电流密度为： J = n q? |E| 由此得到结论3)： ?= n q ? (4-13) 由上述结论得到下面的结果： 在电场作用下，电子运动的速度越快(vd越大)，会导致电流强度越大(J)和迁移率(?)越大，最终导致电导率越大。 电子传导电流与电子迁移率成正比。 3.半导体的电导率和迁移率 在电场不太大的情况下，电场与电流成正比。 半导体中会存在两种载流子：空穴和电子，且与温度 和ND有关，比单纯的金属导体(纯电子)复杂。 然而，在半导体中，电子和空穴产生电流的方向相同。 因此，在电场作用下，总的电流密度为： 4.2 载流子的散射 半导体内的载流子是运动的，是无规则、杂乱无章的热运动。会从浓度高的地方扩散到浓度低的地方。 ------即扩散的热运动：温度越高，热运动速度越快。 热运动受到的影响因素： 1) 晶格热振动；2)杂质；3)缺陷 先引入一个新的概念 平均自由程：连续两次散射间自由运动的平均路程。 该路程为统计平均的结果。 电场的作用：在两次碰撞间对电子沿电场方向加速。 实际的运动：热运动与漂移运动的叠加。 电流产生的原因？ 如果没有碰撞或散射，载流子在电场的作用下，将沿电场方向做加速运动，速度越来越快，电流越来越大。 F = Eq = ma, 半导体的电流一定，原因何在？ 存在阻力! 分析产生阻力的原因，为本章内容 。 如果存在碰撞或散射，在两次碰撞之间，载流子从漂移速度为零到达最大值，然后再从零开始，往复。 将加速运动用平均速度近似、路程用平均自由程近似、时间用平均自由时间近似。得到的结论是：在恒定电场作用下，电流密度是恒定的。 上述的分析解释了电流产生的原因是电场对载流子的加速和散射对载流子运动的阻碍共同造成的。 因此，散射是半导体中电阻率产生的主要原因。 2.半导体的主要散射机构 (1)电离杂质的散射 硅中掺杂的磷电离后形成施主中心，带正电荷，在周围产生了一个附加电场，对周围电荷有库仑力的影响。当电子运动到它附近后，会由此而改变运动方向，施主离子成为了散射中心。 温度的影响 在低温时，若杂质没有完全电离，随温度的升高，(施主)杂质浓度不断增大，则电离散射将随温度的升高而增加。 假设施主杂质已经全部电离，即温度的变化在此不影响施主浓度。 温度越高，载流子的运动速度越快，当它接近电离施主时，运动方向的改变会越小，载流子受到的散射也越小。如图 (2) 晶格振动的散射 晶格中原子偏离平衡位置会产生附加电场，对载流子也具有散射作用。偏离平衡位置的运动产生了格波，在晶体中传播，阻碍了载流子的运动。特别是在高温下，纵向光学波成为电阻的主要来源。为什么？ ?对于硅、锗及III-V族化合物，其原胞结构均由两套面心立方原子套构而成，基元有2个原子，三维结构每个波矢q共有6支格波：3支声学波和3支光学波。 3支声学波为2纵1横。声学波是 q = 0时，?=0。 长声学波代表质心的振动。在长波范围内，波数q越大，波长越短，能量越大，声子数越少。 同时，其能量 为量子化的： (n+1/2)h ? 。 声学和光学波的振动图像 声学波和光学波的差别是在倒空间的原点?(0,