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微电子器件基础 教材、参考书籍 半导体物理与器件 赵毅强等译 电子工业出版社 微电子技术基础（双极、场效应晶体管原理）曹培栋等 《晶体管原理与设计》陈星弼 张庆中 电子工业出版社 1、目的和意义 《微电子器件基础》是从事微电子、集成电路等研究、开发的专业基础课程之一，是微电子领域教学的关键环节。 通过该课程的学习，使同学们掌握、了解各种类型晶体管的基本工作原理、结构、交直流特性等，为进一步学习打下坚实的理论基础。 2、课程内容 讲课部分： 主要讲授下列4部分：PN结，双极晶体管，MOS晶体管，场效应晶体管；重点讲解双极晶体管和MOS晶体管。 实验部分： 针对各种类型的晶体管的直流特性、开关特性、频率特性等方面，设计了多个实验《微电子实验技术》。 考核方式 平时出勤，作业完成情况，期末考试。 考核内容 以课堂授课内容为主。 微电子技术回顾 二十世纪初叶是电子科学发展的黄金时代，电子二极管的出现被称为电子技术的开端； 晶体管的出现使电子技术带来了革命性的变化； 集成电路的出现开拓了电子器件微型化的道路； 大规模集成电路、超大规模集成电路的出现，打破了电子元件和电子线路之间存在着的传统界限，使电子技术领域实现了真正的变革。 电子管的发明 1883年，美国发明家爱迪生（T·A·Edison，1847—1931）发现了热的灯丝发射电荷的现象，并被称之为“爱迪生效应”。 1897年，英国物理学家汤姆逊（J·J·Thomson1856～1940 ）解释了这种现象，并把带电的粒子称为“电子”。 1904英国伦敦大学电工学教授弗莱明（S·J·A·Fleming1849～1945）研制出检测电波用的第一只真空二极管，从而宣告人类第一个电子二极管的诞生。 1906年，美国发明家德福雷斯特（L·Do·Forest）在弗莱明二极管的基础上制造出三极管；在阳极A和阴极K的中间加上栅状的电极G，如果改变栅极电压，就可以使阳极电流发生相应的变化，实现了用较小的控制电压获得很大的输出电流或电压，具有放大信号的作用. 电子管的缺点:耗电,预热时间长。 晶体管的诞生 1947年12月23日，美国物理学家肖克莱（W·Shockley）和他的合作者们在著名的贝尔实验室向人们展示了第一个半导体电子增幅器，即最初的晶体管。 第一只晶体管的技术指标： 电压增益100；可工作在音频 以上。 晶体管的出现使电子设备体积缩小，耗电减少，可靠性提高。由于晶体管可形成大规模工业化生产，其售价便宜，使电子设备成本也大幅度降低。 发展过程：小型化、“微模组件” 集成电路的诞生、发展 1956年，美国材料科学专家富勒和赖斯发明了半导体生产的扩散工艺。 1958年9月12日，美国，德克萨斯州达拉斯市，德州仪器公司的实验室里，工程师杰克·基尔比成功地实现了把电子器件集成在一块半导体材料上的构想。晶体管中频放大器，用一块硅晶制成了包括电阻、电容在内的分立元件的电路。这一天，被视为集成电路的诞生日，而这枚小小的芯片，开创了电子技术历史的新纪元。 年仅32岁的基尔比建造了世界上首个电子电路，从而引领人类进入了数字时代，他本人也因此获得2000年度诺贝尔物理学奖。 1959年，美国仙童公司的诺伊斯研究出一种二氧化硅的扩散技术和PN结的隔离技术，从而完成了集成电路制作的全部工艺。紧接着，光刻技术和其他技术也相继发明。  “有极少数人凭借他们的智慧和专业领域的成就改变了这个世界，杰克·基尔比就是其中之一。” ——德州仪器公司 　集成电路取代了晶体管，为开发电子产品的各种功能铺平了道路，并且大幅度降低了成本，第三代电子器件从此登上舞台。它的诞生，使微处理器的出现成为了可能，也使计算机变成普通人可以亲近的日常工具。 人们通常把电子管称为第一代电子器件、把晶体管称为第二代电子器件、把集成电路称为第三代电子器件、把大规模集成电路称为第四代电子器件。 其主要特点： 特征尺寸越来越小 芯片尺寸越来越大 单片上的晶体管数越来越多 时钟速度越来越快 电源电压越来越低 布线层数越来越多 I/O引线越来越多 半导体技术发展中，有两个反映创新的规律： 一个是指导技术更新的物理规律，叫做器件按比例缩小原理； 一个是追逐利润的商业技术竞争规律，叫做器件集成度增长原理。 因为它是摩尔（Moore）在1965年总结少数几个发展数据中领悟的，因此也叫摩尔定律。前者表示器件尺寸缩小K倍时，芯片功能和性能就提高K2倍；后者表示每18个月芯片上的集成器件数目就增加1倍。 Moor’s Second Law 发展历程 20世纪70年代，IC设计做为IDM公司的