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介电性能部分思考题 P.191 1。 2。 4。 5。 * 在考虑电介质存在的电导（漏电）后，tanδ和单位体积介质中的损耗p表达式为： 不计电导 计入电导 ?是介质的电导率 *  1.8在交变电场下的介质损耗和复数介电常数 如果电场的频率增高，电介质中因存在极化过渡过程会变得跟不上电场的变化。介电常数?随频率而变化起来， 称这种现象为介质弛豫。 电介质发生介质弛豫伴随能量损耗，介质发热。 * 上述吸收电流（松弛极化引起的）现象导致： 在交变电场中，介电常数是复数：ε*=ε’- iε’’ * 定义损耗角正切tanδ为： tanδ =?r’’／εr’ 复介电常数的实部εr’与无功电流密度成正比； 虚部?r’’为损耗因子，与有功电流密度成正比，而引起电介质能量损耗的正是与极化弛豫有关的有功电流。 损耗角正切tanδ表示为获得给定的存储电荷要消耗能量的大小，其值愈小，表明介质材料中单位时间内损失的能量愈小，即介质损耗愈小。 * 在交变电场下复数介电常数随频率如何变化？ 把ε’和ε’’的值随频率变化的现象称为介质分散和吸收。 如图。因为界面极化是最慢的现象，所以，它在声频下首先产生分散；其次是转向极化，它在射频区域内产生分散。因为电子和离子极化是非常快的现象，所以从红外进入到紫外区域便产生分散。 在产生分散频率的附近发生介质吸收（是能量损耗，在光频下是光的吸收），并且ε’’增大。 * 松弛型分散 共振型分散 * 忽略传导电流损耗（漏电）时，可以推出，在交变电压U=U0sinω作用下，介质中由偶极子转向极化贡献引起的复数介电常数ε*，tanδ与频率的关系可以由德拜方程式表示： τ为转向极化的松弛时间，εs为电场下的相对介电常数；。 * 讨论影响复数介电常数的因素： （1）。频率特性 εs为电场下的相对介电常数；。 随着频率升高，ε‘减少并接近光频下的相对介电常数ε∞ * tanδ随频率变化有一个最大值； 而ε‘’ 随频率变化也有一个最大值，达到该值的频率低于tanδ达到最大值的频率。 tanδ的最大值由松弛过程决定。 * 电导损耗特征的tanδ和ω成反比。 如果电介质的电导率显著增大，则tanδ在ωm处变得平坦，最后在很大的电导下，tanδ没有最大值。 在考虑电介质存在的电导（漏电）后： 电导率1=02345 * （2）温度的影响 由于松弛时间常数τ随温度升高而减小。 所以温度通过对弛豫时间常数τ来影响ε和tanδ。 tanδ随温度变化有极大值。 计入电介质的电导时ε和tanδ随温度的变化。 * 根据以上分析可以看出，如果介质的电导很小，则松弛极化介质损耗的特征是tanδ在与频率、温度的关系曲线中都出现极大值。 * 无机电介质结构特点：大多数都由离子构成的固体电介质。 按照其结构可以将这种离子型无机电介质分成: 离子型晶体; 离子键无定形介质。 所以下面先分别讨论离子型晶体和离子键无定形介质的损耗特性。 4。无机电介质的介质损耗 * 晶体离子晶体 （1）结构紧密的晶体离子晶体： 离子堆积紧密，排列规则，离子键强度比较大， 在外电场作用下很难发生离子弛豫极化，只有电子式和离子式的弹性位移极化，所以没有极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起 。 它们的tanδ随温度的变化呈现出电导损耗的特征。 这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频的场合。 如刚玉瓷(主相为α-Al2O3，其含量为99%)、滑石瓷(主相为偏硅酸镁MgO.SiO2)、金红石瓷（主相为TiO2）、镁橄榄石瓷(主相为2MgO.SiO2）等 * （2）结构疏松的离子晶体 在外电场作用下，晶体中的弱联系热离子有可能贯穿电极运动,产生电导损耗。 弱联系热离子也可能在一定范围内来回运动，形成热离子驰豫极化，出现极化损耗。因此损耗较大，由这类晶体作主晶相的陶瓷材料不适用于高频，只能应用于低频。 如电瓷中的莫来石（3Al2O3·2SiO2)、耐热性瓷中的qin堇青石（2MgO·2Al2O3·5SiO2） * 玻璃 复杂玻璃中的介质损耗主要包括三个部分： 电导损耗； 热离子弛豫损耗； 结构损耗。 损耗大。 图5。13 玻璃的tanδ与温度的关系1-结构损耗；2-松弛损耗，3-电导损耗；4-总损耗 * 玻璃中降低介质损耗的特殊办法： （1）中和效应。 当玻璃中需要引入的碱性氧化物浓度较大时，可用同时引入两种碱金属离子的办法， 降低介质损耗和电导 这种不同的碱金属离子相互抑制的现象称为中和效应。 * （2）压抑效应 如果在含碱的玻璃中引入二价金属离子时，也可以使其电性能得到显著的改善。 如Ca2+、Sr2+、Ba2+主要是居于网隙之中（使玻璃密度加大），在热运动的情况下