太阳电池和光电二极管.ppt

第七章 太阳电池和光电二极管 7.1 半导体中的光吸收 7.1 半导体中的光吸收 假设半导体被一光子能量 大于禁带宽度的光源均匀照射。光子通量为 。 图7-1 从紫外区到红外区的电磁波谱图 7.1 半导体中的光吸收 当光子在半导体中传播时，在距表面x处单位时间、单位距离上被吸收的光子数应当正比 于该处的光子通量 即 在 时， 。方程（7-1）的解为 在半导体的另一端（图7-3b） 处，光子通量为 式中比例系数 叫做吸收系数它是 的函数。光吸收在截止波长 处急剧下降。 7.1 半导体中的光吸收 图7-4 几种半导体的吸收系数 7.1 半导体中的光吸收 教学要求 作业：7.1、7.3 7.2 P-N结的光生伏特效应 7.2 P-N结的光生伏特效应 P-N结光生伏打效应就是半导体吸收光能后在P-N结上产生光生电动势的效应。光生伏打效应涉及到以下三个主要的物理过程： 第一、半导体材料吸收光能产生出非平衡的电子—空穴对； 第二、非平衡电子和空穴从产生处向非均匀势场区运动，这种运动可以是扩散运动，也 可以是漂移运动； 第三、非平衡电子和空穴在非均匀势场作用下向相反方向运动而分离。这种非均匀势场 可以是结的空间电荷区，也可以是金属—半导体的肖特基势垒或异质结势垒等。 7.2 P-N结的光生伏特效应 7.2 P-N结的光生伏特效应 对于在整个器件中均匀吸收的情形，短路光电流可以用下式表示 式中 为光照电子?空穴对的产生率 为P-N结面积 为光生载流子的体积。 由式（7-5）可知短路光电流取决于光照强度和P-N结的性质。 7.2 P-N结的光生伏特效应 小结 概念：光生伏打效应、暗电流 PN结光生伏特效应的基本过程： 第一，半导体材料吸收光能产生出非平衡的电子—空穴对； 第二，非平衡电子和空穴从产生处向非均匀势场区运动，这种运动可以是扩散运动， 也可以是漂移运动； 第三，非平衡电子和空穴在非均匀势场作用下向相反方向运动而分离。分离的电子 和空穴在半导体中产生了光生电动势。 利用能带图分析了光生电动势的产生：非平衡载流子的产生预示着热平衡的统一费米能级分开，开路时电子和空穴的准费米能级之差等于光生电动势。 7.2 P-N结的光生伏特效应 小结 在半导体均匀吸收的情况下，短路光电流为 （7-5） 串联电阻和负载电阻上的电压降加在PN结上，对PN结来说这是一个正偏压,它 使PN结产生正向电流 这个电流的方向与光生电流的方向正好相反，称为暗电流，是太阳电池中的不利因素。 7.2 P-N结的光生伏特效应 教学要求 掌握概念：光生伏打效应、暗电流 分析了PN结光生伏特效应的基本过程 利用能带图分析光生电动势的产生 解释短路光电流公式（7-5）的含义 暗电流是怎么产生的？能否去除？ 7.3 太阳电池的I-V特性 7.3 太阳电池的I-V特性 7.3 太阳电池的I-V特性 首先考虑串联电阻 =0 的理想情况。在这种情况下，太阳电池的等效电路如图7-6所 示。图中电流源为短路光电流 。 V-I特性可以简单地由图7-6所示的等效电路写出。 式中 为P-N 结正向电流 为P-N 结饱和电流 P-N 结的结电压即为负载R上的电压降。 7.3 太阳电池的I-V特性 P-N结上的电压为 在开路情况下，I=0，得到开路电压（这是太阳电池能提供的最大电压 ） 在短路情况下（V=0）， 这是太阳电池能提供的最大电流。 太阳电池向负载提供的功率为 7.3 太阳电池的I-V特性 7.3 太阳电池的I-V特性 实际的太阳电池存在着串联电阻和分流电阻。考虑到串联电阻和分流电阻作用的特性 公式 7.3 太阳电池的I-