6H-SiC+n沟MOSFET沟道迁移率地研究.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 6H-SiCn沟MOSFET沟道迁移率的研究 丁瑞雪1，杨银堂 (西安电子科技大学微电子学院，宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，西安， 710071) 摘要： SiC是制作高温、大功率、高速、低功耗MOSFET器件的理想材料，但是 低沟道迁移率限制了它的应用。本文研究了影响沟道迁移率的各种散射机制，建立 了一种迁移率模型，并讨论了温度，衬底掺杂浓度和电场对迁移率率的影响。 关键词： 6H一碳化硅；金属氧化物半导体场效应晶体管；迁移率 onChannelMobi1 of6H—SiCMOSFET Study ity DingRui—xue，YangYin—tang of (InstituteMicroelectronics，XidianUniversity，Xi’an，710071) Abstract：SiCis asa candidatefor expectedpromising high—temperature， andlow—loss MOSFET high—voltage，high—speedswitchingpowerdevice．However， the are itslowchannel effectsofvarious applicationshamperedby mobility．The modelis mechanismson areintroduced，a scattering mobility mobility developed of concentrationandelectric andthe oftheeffects analysiS temperature．doping fieldonchannel are mobilityperformed． words： key 6H—SiC：MOSFET：mobility 1 引言 碳化硅(SiC)材料具有禁带宽度大、击穿场强高、介电常数小等独特的特性，使其 在高频大功率器件、高温电子器件等方面倍受青睐，被誉为前景十分广阔的第三代半导体 材料u1。SiC材料制作工艺相对比较成熟，可以通过热氧化工艺在表面获得二氧化硅层， 这也使其制作各种类型的MOS栅器件成为可能，然而SiCMOSFET器件低的沟道迁移率也 限制了它的应用。本文研究了影响沟道迁移率的各种散射机制，讨论了温度，衬底掺杂浓 度和电场对迁移率的影响。 2 影响迁移率的因素 6H—SiC n—MOSFET反型沟道迁移率受到诸多因素的影响，低场迁移率主要依赖于声子 散射和离化杂质散射，主要的散射机制有体晶格散射ue，表面粗糙度散射u。。，表面声子 散射|l ph和界面态散射u…下面分别对各个散射机制进行讨论。 2．1体晶格散射迁移率lln 在低场下，沟道电子迁移率受体晶格散射影响较大，体晶格散射迁移率是掺杂浓度和 MOSFET，u 温度的函数，对于4H—SiC e可由下面类似于Cauchy—Thomas公式的经验公式表示 [2_： ，，一 ∥一一∥血。 …(1) 从2 rain4。蔫荔面 上式中各参数的物理意义如