AlGaN%2fAlN%2fGaN+HEMTs电流崩塌效应探析.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 A1GaN／A1N／GaNHEMTs电流崩塌效应研究 李诚瞻刘 键刘新宇 (中国科学院微电子研究所， 北京100029) 摘要：本文采用A1N插入层改善材料结构，研究A1N插入层对A1GaN／GaNHEMTs电流崩 塌效应的影响。直流应力条件下，A1GaN／GaNHEMTs的输出电流显著减小，膝点电压和阈 值电压也有较大程度的退化，出现严重的电流崩塌现象；相同应力条件，AlGaN／AlN／GaN HEMTs的电流崩塌现象有显著改善，表明A1N插入层能有效抑制电流崩塌效应。A1N插入 层能增加异质结的带隙差△E。，提高AIGaN势垒高度，减小热电子向AIGaN表面遂穿，从 而加强沟道2DEG的量子效应，抑制电流崩塌效应。 关键字：AlGaN／A1N／GaN；HEMTs；电流崩塌效应； 热电子； 1 引言 GaNAlGaN／GaNHEMTs在高频、大功率方面的具有突出优势u’2【，已经受到广泛关注。 但是电流崩塌现象仍然是A1GaN／GaNHEMTs向实用化迈进面临的主要问题。大量文献报道， 在直流应力作用下或脉冲测试，器件的输