InAs量子点中载流子逃逸地光电流谱研究.pdfVIP

MBE2013 口头报告 S4-7 InAs量子点中载流子逃逸的光电流谱研究 尚向军* 李密峰 贺继方 喻颖 王莉娟 邢军亮 倪海桥 牛智 川 中国科学院半导体研究所，半导体超晶格国家重点实验室 北京市海淀区清华东路甲35 号，100083 *通讯作者：xjshang@semi.ac.cn 自组织InAs/GaAs 量子点在900-1300nm 波段具有极好的光、电、量子特性，可用于激 光器、探测器、光伏电池、单光子源和单电子晶体管。电子空穴在量子点中占据或从量子点 中逃逸是上述器件面对的共同课题。 本文采用分子束外延设备在GaAs 衬底上生长了嵌入InAs 量子点的p-i-n 结构，用光电 流谱测试研究了载流子如何从量子点中逃逸，发现：无论量子点处于内建电场区还是中性n 区，空穴热激发都是载流子逃逸的主要机制。当量子点周围GaAs 势垒层中有n 型硅掺杂时， 过剩电子会离开硅施主而填充量子点