新型近红外光电探测材料碲铟汞的研究.pdfVIP

王领航等：新型近红外光电探测材料碲铟汞的研究 新型近红外光电探测材料碲铟汞的研究木 王领航，张继军，介万奇，董阳春 (西北工业大学凝固技术国家重点实验室，陕西西安710072) 摘要： 研究了一种新型近红外光电探测材料碲铟汞 2晶体生长 (Mrr)晶体，利用垂直Bridgm锄法成功生长了Mrr 单晶，并采用x—ray衍射分析、LⅣ-NⅡt．瓜光谱分析及 Hall测试对晶体的形态结构及光电性能进行了检测．结 果表明：MIrr晶体为缺陷闪锌矿结构，其在中远红外波 段透过性能较好(50％)，并且随着波长的增大，透行严格清洗，减少杂质的带入及晶体生长时侧壁成核的 过增强．MI．r晶体为n型半导体，室温电阻率为几率。为了防止原料与石英坩埚间可能发生反应，在坩 4．79×102Q．cm，载流子迁移率为4．6×102cm2．V一．s一，埚内壁镀上碳膜。然后按照配料比例将原料装入坩埚中， 在10’a的真空下进行封装。多晶原料的合成在摇摆合 载流子浓度为2．83×1013cm一．较低的载流子浓度，有 利于降