多重激子效应及其在先进太阳电池中的应用（下）.pdfVIP

◆ 第 l2届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)优秀论文选登 (七) 多重激子效应及其 在先进太阳电池中的应用(下) 上海交通大学物理系凝聚上海交通大耋学太阳能研究所-…苏未…安…沈…文…忠’ 除多重激子产生的效率外，多重激子产生的 子的产生。尽管有的文献采用协同学理论讨论了 阈值能量也是多重激子效应的一个重要参数。阈 多重激子产生过程[”，但对于Fermi的统计公式是 值能量ET[18,24,26,27,35,38]是指在纳米半导体中产生多 否适用于研究多重激子效应未作详细的分析。因 重激子效应所需入射光子的最小能量 1，’。从模型 而，正如后文将要表明的，前面所建的统计模型给 的建立可知，当产生多重激子效应时，，O一定大 出了与最近精细的实验数据[23,36]~H符合的结果，而 于100％；并且多重激子产生效率依赖于参数 、尺 其近似的统计法得到了高达700％的多重激子产生 和 v，／QE=IQE(ts， ，hv)。ts和 确定后，，OE仅取 效率[50,51】，这与现在的认识不符。 决于hv，则，o=，O(v)。为便于计算，需给出纳米 2PbSe量子点中的多重激子效应 半导体中多重激子产生的判据 Elc(，ET=hV’)，即 由于在纳米尺寸的材料中存在着量子限制效 当，o(，hv)IQE1c(，ET=hV’)时，产生多重激子效应； 应 ，纳米半导体中的电子激发态变成为离散的电 而 (，hv)IQEc，(，ET=hV’)时，不产生多重激子效 子态并且其带隙E(即HOMO—LUMO的跃迁能量) 应。，OE’c(，ET=hV’)是一个大于 100％且非常接近 与其体积 有着非常紧密的关系 【 。对球形的 100％的一个数值。 量子点而言，决定于其半径尺，即V=4rcR／3。1984 也有一些科学家提出了相近方法以研究多重 年，BrusLE就根据量子力学的理论得到了著名 激子效应[50,51]，相比较而言，本文建立的模型改进 的Brus公式[53,54】： 的地方为：(1)考虑了电子 自旋效应以及有效质量 2r1 1 、 】．786e2 的影响，而其他方法[50,51并未考虑电子 自旋效应， 。+索I志+ J一 (7) 式中： 和 ￡分别为半导体材料的禁带宽度 且认为电子和空穴在纳米半导体中的运动质量等 和介电常数；f|z为普朗克常数；P为电子的电量；式 于电子的静止质量，这样的处理显然有欠妥当。(2) 中第二项和第三项分别是附加的量子限制能量和 在本文模型中计算了光子能量驰豫体积 ，而其 库仑作用能量 。 他方法[50,51则认为纳米半导体的体积 l1为光子能 从式(7)可知 ，量子效应所附加的两项能量之 量的驰豫体积 ，因而，用统计模型所得结果的正 间存在竞争关系，这种关系对量子点中多重激子 确性更好。(3)结合碰撞电离机制~UFermi的统计模 效应产生影响，将在下文中详细讨论。而多重激子 型，建立了适用于多重激子产生的统计模型 ，而其 产生的特征时间参数 ，实验报道其值介于50～ 他方法[5o,51】直接利用Fermi的统计公式计算多重激