沉积原子入射动能对失配位错形成的研究.pdfVIP

技经济市场 ＼＼。、 ∞c山I_lJ ∞∞ 、 ．Jc山 ∈ ls 时，体系的能量线基本呈水平状态，没有出现与失配位错相对应 怎样的呢?我们采用晶体结构观察分析法分析薄膜晶体的内部 蚴暮i矧 结构 ，再结合图3中体系的能量变化曲线，可以发现：对于以不 的能量下降，对其晶体结构进行原子分析发现外延铝膜的晶体 ∞ ∞ ∞ 蛐 结构 自始至终都很完整，没有观察到失配位错结构。而当把沉积 同动能入射的沉积原子来说，对薄膜结构的影响程度有着显著 原子入射动能升高到0．14eV时，体系的能量线出现了一个明显 的差异。沉积原子的入射动能为O．014eV时，外延薄膜中没有失 的下降，下降大约60eV后就又保持水平状态。这说明入射动能 配位错形成 ，当其动能增加到0．14eV、1．4eV、7eV和 10eV后，失 足够大的单原子对外延薄膜中失配位错的形成有诱发作用。 配位错也随之产生。 通过进一步观察还还可以看出：随着沉积原子入射动能的 增大，外延铝薄膜的能量下降时刻越早，失配位错孕育时间越 短，沉积原子对外延铝薄膜中失配位错形成的诱发作用越大。换 而言之，沉积原子的动能越大，对基体结构完整性的影响也越 大。这一结论与叶子燕等人研究团簇原子的平均动能对基体表 面影响所得的结论是一致的 【。但原子入射动能增加到一定数 值后 ，失配位错的孕育时间基本上就不会再缩短而保持不变。当 原子入射动能超过铝材料的溅射阈值时，根据溅射理论嘲，溅射 阈值 4Uo，其中Uo=3．36eVa／tom为结合能，在入射粒子以高 于此能量阈值入射的情况下，传递给基体原子的能量足以使其 克服表面束缚势垒，产生溅射原子，此时入射载能粒子不再认为 rime1ps 是沉积原子 。 图2动能分别为0．014eV和 0．14eV的沉积原子入射到FCC 3 结论 位置上，外延薄膜的能量变化曲线 本章运用分子动力学模拟方法，模拟考察了600K温度下 ， 图3示出了动能分别为0．14eV、1．4eV、7eV和 10eV的沉 积原子入射到FCC位置上，外延薄膜的能量变化曲线。可以看 不同入射动能的原子沉积到失