模拟电子技术 第2版 教学课件 作者 刘吉来 主编 第2章 场效应管及放大电路.pptVIP

5．输出电阻?DS  与晶体三极管一样，表示输出特性上某点斜率的倒数。在恒流区，这个数值很大，通常为几十到几百千欧。在可变电阻区，沟道畅通，其值很小，当UGS=0时，这个电阻被称为场效应管的导通电阻?DS（on）. 6．低频跨导gm 在UDS为规定值的条件下，漏极电流变化量和引起这个变化的栅源电压变化量之比，称为跨导或互导。 除了以上参数外，场效应管还有最大耗散功率PDM，极间电容Cgs、Cgd等，它们的意义与晶体三极管类似。 例 2.1 已知 UGS(off)= ? 0.8 V，IDSS = 0.18 mA，求Q点。 解方程得：IDQ1 = 0.69 mA，UGSQ = – 2.5V (增根，舍去) 2. 共漏放大电路 * 第二章 场效应管及其基本电路 2.1　结型场效应管 2.2　绝缘栅场效应管 2.3 场效应管的基本电路 　 第 2 章　场效应管及其基本电路 2.1　结型场效应管 2.1.1 结型场效应管的结构和工作原理 2.1.2 结型场效应管的特性曲线 2.1.3 结型场效应管的主要参数 第 2章　场效应管及其基本电路 1. 结构与符号 N 沟道 JFET P 沟道 JFET 2.1.1 结型场效应管的结构和工作原理 第 2 章　场效应管及其基本电路 2. 工作原理 uGS ? 0，uDS 0 此时 uGD = UGS(off)； 沟道楔型 耗尽层刚相碰时称预夹断。 预夹断 当 uDS ?，预夹断点下移。 第 2 章　场效应管及其基本电路 2.1.2 结型场效应管的特性曲线 UGS(off) 当 UGS(off) ? uGS ? 0 时, uGS iD IDSS uDS iD uGS = – 3 V – 2 V – 1 V 0 V – 3 V O O 转移特性和输出特性 第 2 章　场效应管及其基本电路 2.1.3 结型场效应管的主要参数 1．夹断电压UGS(off) 在标准规定的温度和测量电压UDS值下，当漏极电流ID趋向于零（为10μA或50μA）时，测得的栅源电压称为夹断电压UGS(off) 。 2．漏电流IDSS 在UGS=0（短路）条件下，外加的漏源电压使场效应管的工作于恒流区时的漏极电流，称为饱和漏电流IDSS. 3．击穿电压U（BR）DS 表示漏源间开始击穿，漏极电流从恒流值急剧上升时的UDS值。选用的管子，外加电压UDS不允许超过此值。 4. 直流输入电阻RGS 表示栅源间的直流电阻。由于UGS为反偏电压，所以这个电阻数值很大，一般大于107 ?。 第 2 章　场效应管及其基本电路 第 2 章　场效应管及其基本电路 2.2　绝缘栅场效应管 2.2.2 N沟道耗尽型绝缘栅场效应管 2.2.1 N沟道增强型绝缘栅场效应管 第 2 章　场效应管及其基本电路 ——增强型 N 沟道 MOSFET (Mental Oxide Semi— FET) 1. 结构与符号 P 型衬底 (掺杂浓度低) N+ N+ 用扩散的方法 制作两个 N 区 在硅片表面生一层薄 SiO2 绝缘层 S D 用金属铝引出 源极 S 和漏极 D G 在绝缘层上喷金属铝引出栅极 G B 耗尽层 S — 源极 Source G — 栅极 Gate D — 漏极 Drain S G D B 2.2.1 N沟道增强型绝缘栅场效应管 第 2 章　场效应管及其基本电路 2. 工作原理 1)uGS 对导电沟道的影响 (uDS = 0) a. 当 UGS = 0 ，DS 间为两个背对背的 PN 结； b. 当 0 UGS UGS(th)(开启电压)时，GB 间的垂直电 场吸引 P 区中电子形成离子区(耗尽层)； c. 当 uGS ? UGS(th) 时，衬底中电子被吸引到表面，形 成导电沟道。 uGS 越大沟道越厚。 反型层 (沟道) 第 2 章　场效应管及其基本电路 2) uDS 对 iD的影响(uGS UGS(th)) 　　DS 间的电位差使沟道呈楔形，uDS?，靠近漏极端的沟道厚度变薄。 预夹断(UGD = UGS(th))：漏极附近反型层消失。 预夹断发生之前： uDS? iD?。 预夹断发生之后：uDS? iD 不变。 第 2 章　场效应管及其基本电路 3. 转移特性曲线 2 4 6 4 3 2 1 uGS /V iD /mA UDS =