模拟电子技术 第2版 教学课件 作者 刘吉来 主编 模拟电子技术试卷 A.docVIP

考试科目：模拟电子技术 考试时间：120分钟 试卷总分: 分 考试方式： 闭卷 考生系： 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分 得分 评卷 教师 填空题（每题2分，共20分） 1．PN结具有单向导电性能，即加正向电压时，PN结 ，加反向电压时，PN结 。 2．三极管具有电流放大作用的外部条件必须是 结正向偏置， 结反向偏置。 3．多级放大电路的极间耦合方式有直接耦合、 耦合和 耦合三种。 4．理想运放工作在线性区时，有两个重要概念： 和 。 5．为提高放大器的输入电阻，应该在电路中引入 反馈，为降低放大器的输出电阻，应该在电路中引入 反馈。 6．理想运放的Aod= ，Rid= ，IiB= ，Rod= 。 7．甲类功率放大器的理想效率可达 ，乙类互补推挽功率放大器的理想效率可达 。 8．射极输出器的电压放大倍数近似等于 ，输出电压与输入电压的相位相 。输入电阻Ri较 ，输出电阻R。较 。 9．产生正弦波振荡的幅度平衡条件是 ，相位平衡条件是 。 10．电源电路一般由 、 、 和 四部分组成。 二、选择题（每题3分，共30分） 1．二极管的两端加正向电压时，有一段“死区电压”，锗管约为（ ）。 A. 0.1V B. 0.3V C. 0.5V D. 0.7V 2．已知放大电路中处于正常放大状态的某晶体管的三个电极对地电位分别为VE= 6 V，VB=5.3V，VC= 0 V，则该管为（ ）。 A. NPN型锗管 B. PNP型锗管 C. PNP型硅管 D. NPN型硅管 3．某三极管的极限参数为：ICM=100mA，UCE(BR)=20V，PCM=100mW，则该元件正常工作为（ ）。 A. IC=10mA，UCE=15V B. IC=10mA，UCE=9V C. IC=50mA，UCE=15V D. IC=50mA，UCE=9V 4．放大器产生零点漂移的的主要原因是（ ）。 A. 环境温度的变化 B.电压增益太大 C. 采用直接耦合方式 D. 采用阻容耦合方式 5．要求输入电阻高，输出电压稳定的电路可选用放大器的反馈类型为（ ）。 A. 电压串联负反馈 B. 电压并联负反馈 C. 电流串联负反馈 D. 电流并联负反馈 6．乙类放大器是指放大管的导通角为（ ）。 A. 900 B. 1800 C. 大于1800 D. 3600 7．场效应管的栅极对应于晶体三极管的（ ）。 A. 基极 B. 集电极 C. 发射极 8．差动放大电路抑制零点漂移主要是利用（ ）。 A. 稳定静态工作点 B. 减小输出电阻 C. 电路的对称性 D. 差模输入 9．在理想情况下，乙类推挽式功率放大电路的最大输出功率为________ 。 A． B． C． D． 10．集成运放作为电压比较器，工作于（ ）。 A. 任意状态 B. 线性工作区 C. 非线性工作区 三、分析计算题（共50分） 1．设图中ui = 8sinωt（V），VD是理想二极管，试绘出输出电压uo的波形。（12分） 题1图 2．基本共射极放大电路如图所示，NPN型硅管=100。（16分） (1)估算静态工作点ICQ和UCEQ ； (2)求三极管的输入电阻rbe值； (3)画出放大电路的微变等效电路； (4)求电压放大倍数Au，电阻Ri和输出电阻Ro。 题2图 3．试求图中所示电路的输入输出关系（12分） 题3图 4．振荡电路如图所示，试判断该电路能否振荡.（10分） 题4图 第 2 页 共 4 页 第 3 页 共4 页 20 －20 学年第 学期期末考试试题　 A卷 第 1 页 共 4 页 系：