模拟电子技术基础 教学课件 作者 陈艳峰 第1章 半导体二极管及其应用.pptVIP

1.4.2　二极管限幅和钳位电路 图1-17　限幅电路的传输特性 1.4.2　二极管限幅和钳位电路 图1-18　二极管限幅电路及其波形图 1.4.3　稳压管稳压电路 图1-19　稳压管稳压电路 图1-20　习题1-1图 图1-21　习题1-2图 图1-22　习题1-3图 1.tif 图1-23　习题1-4图 图1-24　习题1-6图 图1-25　习题1-7图 第1章　半导体二极管及其应用 1.1　半导体的基础知识1.2　PN结的形成及其单向导电性1.3　半导体二极管1.4　半导体二极管的典型应用 1.1　半导体的基础知识 1.1.1　本征半导体1.1.2　杂质半导体及载流子的运动 1.1.1　本征半导体 1.本征半导体的结构2.本征半导体中的载流子3.本征半导体中载流子的浓度 1.本征半导体的结构 图1-1　锗和硅原子结构模型 1.本征半导体的结构 图1-2　共价键结构示意图 2.本征半导体中的载流子 图1-3　本征激发示意图 3.本征半导体中载流子的浓度 本征激发产生的载流子又称为本征载流子。在本征半导体中，自由电子和空穴的数目是相等的。单位体积内本征载流子的数量称为本征载流子浓度。前已述及，本征激发使得自由电子和空穴成对出现。但同时，在本征半导体中，自由电子在运动的过程中可能与空穴相遇而填补空穴，从而使自由电子和空穴成对消失，这种现象称为复合。 1.1.2　杂质半导体及载流子的运动 1. N型半导体2. P型半导体 1.1.2　杂质半导体及载流子的运动 图1-4　N型半导体结构示意图 1. N型半导体 在本征半导体中掺入少量五价元素砷(或磷、锑)，能使半导体中的自由电子浓度显著增加。由于五价元素有5个价电子，它在取代硅(或锗、砷化镓)原子后，其中4个价电子分别与相邻4个硅原子上的一个价电子构成共价键，多余的一个价电子不受共价键的束缚，受杂质原子的作用力亦较弱，很容易被激发成为自由电子，而失去多余电子的杂质原子变为不能移动的正离子，如图1-4所示。掺入的杂质原子数越多，产生的自由电子数就越多。 2. P型半导体 图1-5　P型半导体结构示意图 1.2　PN结的形成及其单向导电性 1.2.1　PN结的形成1.2.2　PN结的单向导电性1.2.3　PN结的电容特性 1.2　PN结的形成及其单向导电性 图1-6　PN结的形成 1.2.1　PN结的形成 半导体中的载流子有两种类型的运动：扩散运动和漂移运动。所谓扩散运动就是物质在浓度梯度的作用下从浓度高的区域向浓度低的区域运动，所形成的电流称为扩散电流；漂移运动则是在电场作用下载流子所作的定向运动，所形成的电流称为漂移电流。 1.2.2　PN结的单向导电性 1. PN结正偏导通2. PN结反偏截止 1.2.2　PN结的单向导电性 图1-7　PN结正向偏置 1. PN结正偏导通 将PN结的P区接电源正极，N区接电源负极，称PN结外加正向电压或正向偏置(简称正偏)，如图1-7所示。正偏时，外加电压U在P+N结上建立的外电场E与内电场E0方向相反，削弱内电场的作用，使得空间电荷量减少，阻挡层宽度由l0减小为l，耗尽层两端电位差由UΦ降为UΦ－U(忽略体电阻、电极接触电阻和引线电阻上的压降)，有利于多子扩散，不利于少子漂移；此时，P+N结失去动态平衡，多子的扩散运动增强，而少子的漂移运动则减弱，扩散电流远大于少子的漂移电流。 2. PN结反偏截止 图1-8　PN结反向偏置 1.2.3　PN结的电容特性 1.势垒电容CT2.扩散电容CD 1.势垒电容CT PN结外加电压变化时，势垒区将发生充放电现象。PN结反偏压增大(或正偏压减小)时,空间电荷量增加，耗尽层加宽，相当于对势垒区充电；PN结反偏压减小(或正偏压增大)时，空间电荷量减少，耗尽层变薄，相当于势垒区放电。 2.扩散电容CD 图1-9　势垒电容与外加电压的关系 2.扩散电容CD 图1-10　扩散区内非平衡少子浓度分布曲线 1.3　半导体二极管 1.3.1　半导体二极管的结构与符号1.3.2　半导体二极管的伏-安特性1.3.3　半导体二极管的主要参数1.3.4　半导体二极管的小信号等效电路模型1.3.5　稳压管 1.3.1　半导体二极管的结构与符号 图1-11　二极管的结构与电路符号 1.3.2　半导体二极管的伏-安特性 图1-12　二极管的伏-安特性曲线 1.3.3　半导体二极管的主要参数 图1-13　二极管的电阻 1.3.4　半导体二极管的小信号等效电路模型 图1-14　二极管小信号模型 1.3.5　稳压管 图1-15　稳压管的符号、模型及伏安特性 1.3.5　稳压管 表1-1　几种稳压管的主要参数 型　　号 稳定电压/V 稳定电流/mA 最大稳定电流/mA 耗散功率/W 动态电阻/Ω 温度系数