模拟电子技术与应用项目教程 教学课件 作者 王继辉 场效应晶体管及其应用.pptVIP

Company Logo 场效应管及其应用 1 自偏压电路 2 分压式偏置电路 3 * 场效应晶体管 场效应管及应用 * 一、场效应晶体管 场效应晶体管FET仅是由一种载流子——多数载流子(要么是自由电子，要么是空穴)参与导电，所以称为单极型晶体管。 场效应晶体管是一种电压控制器件，它只用信号源电压的电场效应，来控制管子的输出电流，输入电流几乎为零，因此具有输入电阻高(108～109Ω)的特点，同时场效应晶体管受温度和辐射的影响也较小，又易于集成，因此场效应晶体管已广泛应用于各种电子电路中。 场效应管 * *根据结构的不同，场效应晶体管可以分为结型、绝缘栅型两大类。 *目前应用最为广泛的绝缘栅场效应晶体管是金属-氧化物-半导体绝缘栅场效应晶体管，简称MOS管或MOSFET。MOSFET是利用半导体表面的电场效应工作的，也称表面场效应器件。由于它的栅极处于绝缘状态，所以输入电阻可大为提高，最高可达1015Ω。 *MOSFET有N沟道和P沟道两类，其中每一类又可以分为增强型和耗尽型两种。 场效应管 * 1、增强型NMOS管的结构与电路符号 N沟道增强型MOS场效应晶体管简称增强型NMOS管，它的结构如图a所示。 在二氧化硅的表面及N+型区的表面上分别安装三个铝电极——栅极G、源极S和漏极D，就形成了N沟道MOS管。 场效应管 * 2、增强型NMOS管的工作原理 场效应管 * *当导电沟道形成以后，若增加uDS，一开始漏极电流iD随uDS的增加而增加。但当uDS增至一定数值时，G、D方向的电压逐渐下降到小于开启电压，使导电沟道靠近漏极处会被夹断，如图c所示 *如图a所示，当给增强型NMOS管加漏源电压uDS时，栅源偏压uGS=0为零，增强型NMOS管相当于在源区（N+型）、衬底（P型）和漏区（N+型）之间形成了两个背靠背的PN结，所以流过管子的只是一个很小的PN结反向电流，漏极电流几乎为零。 *在栅源之间加上正的栅源电压uGS后，如图b所示。出现了一个N型的区域，称之为反型层，它将两个N+区沟通连接在一起，形成了N型的导电沟道，这时在外加uDS的作用下，就会产生漏极电流iD。 场效应管 * 场效应管 3、特性曲线 （1）转移特性曲线 图a所示为增强型NMOS管的转移特性曲线。 当uGS ＜UGS(th) 时，iD=0；当uGS ＞UGS(th) 时，开始产生漏极电流，并且随着uGS的增大而增大，因此称之为增强型NMOS管。漏极电流iD的大小符合下列公式： * （2）输出特性曲线 *增强型NMOS管的输出特性曲线如图b所示。这个管子的开启电压UGS(th)为3V，所以当uGS 3V时，才开始产生电流。 场效应管 *它的输出特性也分为可变电阻区、放大区、截止区和击穿区。 * 半导体二极管 (1) 直流参数—— 开启电压UGS(th) 当uDS为一定值时， 使增强型场效应晶体管开始 有电流时的uGS称为 开启电压UGS(th) (2) 交流参数—— 低频跨导gm 当uDS为某一固定数值时 漏极电流的变化量ID与其对应 的栅源电压的变化量UGS之比 (3) 极限参数 场效应晶体管的极限参数主要有漏源击穿电压U(BR)DS、栅源击穿电压U(BR)GS和最大漏极耗散功率PDM等。 4、场效管的主要参数 场效应管 (1)在使用场效应晶体管时应注意漏源电压、漏源电流、栅源电压、耗散功率等参数不应超过最大允许值。 ? (2)场效应晶体管在使用中要特别注意对栅极的保护。 (3)场效应晶体管的漏极和源极互换时，其伏安特性没有明显的变化，但有些产品出厂时已经将源极和衬底连在一起，其漏极和源极就不能互换。 (4)场效应晶体管属于电压控制器件，有极高的输入阻抗，为保持管子的高输入特性，焊接后应对电路板进行清洗。 (5)在安装场效应晶体管时，要尽量避开发热元件，对于功率型场效应晶体管，要有良好的散热条件，必要时应加装散热器，以保证其能在高负荷条件下可靠地工作。 * *场效应管使用注意事项 场效应管 * 场效应管的应用 *在电路中，场效应晶体管的源极、漏极和栅极 分别相当于晶体管的发射极、集电极和基极。 *场效应晶体管放大电路也有三种组态： 共源极放大电路、共漏极放大电路和共栅极放大电路，其特点分别和晶体管放大电路中的共射极、共集电极、共基极放大电路类似。 下面以共源极放大电路为例介绍： * 二、自偏压电路 可见：场效应晶体管的栅极通过电阻RG接地，源极通过电阻RS接地。这种偏置方式靠漏极电流ID在源极电阻RS上产生的电压为栅源极间提供一个偏置电压UGS，故称为自偏压电路。静态时