模拟电子线路 教学课件 作者 林春景 第1章.ppt

本课程的主要内容 本课程的学习方法 绪论 第1章 半导体二极管 半导体材料具有以下一些独特的导电特性： 1. 杂敏性 在纯净的半导体材料中掺入某种微量的元素(如硼和磷等)后，其导电能力将猛增几万倍甚至百万倍。 2. 光敏性 有的半导体材料在无光照时电阻率很高，而一旦受到光线照射后电阻率即显著下降。 3. 热敏性 所谓热敏性是指半导体的电导率随温度升高(例如受热辐射)而显著增大的特性，即温度升高其导电能力大大加强。温度对半导体材料的导电性能影响很大。 1.1.2 本征半导体 本征半导体——完全纯净的、结构完整的半导体晶体 2. 本征半导体中的两种载流子——电子和空穴 载流子——可以自由移动的带电粒子。 电导率——与材料单位体积中所含载流子数有关，载流子浓度越高，电导率越高。 电子空穴对 1.1.3 杂质半导体 2. P型半导体（空穴型半导体） PN结的形成及特性 1. PN结的形成 2. PN结的单向导电性 当外加电压的极性不同时，PN结表现出一个重要的特性——单向导电性。 (1)外加正向电压 (2)外加反向电压 第一种接法叫正向偏置，其外加电压叫正向偏置电压，形成的电流叫做正向电流；第二种接法叫反向偏置，其外加电压叫反向偏置电压，形成的电流叫做反向电流。正向电流大，反向电流很小。而且当外加正向偏置电压稍微增加时，则正向电流便迅速上升；而当温度一定时，反向电流几乎不随外加反向偏置电压的变化而变化，所以又称反向饱和电流。反向饱和电流受温度的影响很大。但由于反向电流的值很小，与正向电流相比，一般可以忽略，所以 PN 结反向偏置时，呈现的电阻很大，处于截止状态。因此，PN 结正偏时导通；PN 结反偏时截止，这就是 PN 结的具有单向导电性。 4. PN结的反向击穿 PN 结的反向电流 I与所加的反向电压无关。但当反向电压达到一定数值时，反向电流将会突然大幅度增加，这个现象被称为 PN 结的反向击穿。它分为雪崩击穿和齐纳击穿两种。 (1)雪崩击穿 当 PN 结两端加的反向电压足够大时，内电场也随之增强，电子和空穴通过空间电荷区时，在内电场的作用下，获得的动能显著增加，运动速度大大加快。这些载流子在运动过程中，会与半导体的晶体原子发生碰撞，将一部分动能转移给共价键中的电子使价电子脱离共价键的束缚，变成自由电子，从而产生了电子空穴对。新产生的电子空穴对又会与原有的自由电子和空穴一样，被内电场加速，去撞击其他原子，再产生新的电子空穴对，这就是载流子的倍增效应，这种现象与雪山发生的雪崩类似，因此叫做雪崩击穿。 (2)齐纳击穿 在一些杂质浓度较高的 PN 结中，杂质密度大，空间电荷区中的正负离子密度也大，空间电荷区很薄。这样，只要加上不大的反向电压，就可以使内电场达到足够的场强。这个内电场将会直接把价电子从共价键中拉出来，产生电子空穴对，从而形成较大的反向电流，基于这种现象产生的反向击穿称为齐纳击穿。对于硅 PN 结来说，反向电压 7V 以上的击穿一般是雪崩击穿，4V 以下的反向击穿一般是齐纳击穿。在 4V 和 7V 之间时，两种击穿可能同时存在，发生雪崩击穿时，PN结的电压温度系数为正，即温度升高时，击穿电压也升高。发生齐纳击穿时，PN 结的电压温度系数为负，即温度升高时，击穿电压降低。两种击穿同时存在时，电压温度系数接近于零。 应该指出，PN结的击穿破坏了PN结的单向导电性，一般应用时应当避免。但击穿并不意味着PN结损坏，只要击穿后流过PN结的电流不超过某一限度，PN结可保持完整无损且击穿现象可重复发生。PN结击穿后结电流急剧变化而其两端的电压却基本不变，利用这一特性可以做成稳压二极管， 5. PN结的电容效应 PN结的电容效应直接影响半导体器件(二极管、三极管、场效应管等)的高频性能。下面介绍PN结的两种电容效应，即扩散电容和势垒电容。 (1)势垒电容 PN结的势垒电容是用来描述势垒区的空间电荷随外加电压变化而产生的电容效应。势垒区中不能移动的正、负离子都具有一定的电量，当外加反偏电压增加时，结电场增强，势垒区变宽，空间电荷量增加，相当于电容充电；反之，当外加反偏电压变小时，结电场减小，势垒区变窄，空间电荷量减少，相当于电容放电。这种充放电的过程与普通电容的充放电的过程类似，但普通电容的电容量一般是常量，不随外加电压的变化而改变。势垒电容是非线性电容，其大小与结面积、耗尽层宽度、半导体介电常数以及外加电压有关。 (2)扩散电容 PN结正向偏置时，N区的多子自由电子扩散到P区，并不断与P区的空穴复合。于是，电子在P区形成了一定的浓度分布：靠近结边缘处浓度高，远离结的地方浓度低，这样，在P区有电子的积累；同理，P区的空穴向N区扩散，在N区内有空穴的积累。当正向电压增加时，扩