模拟电子线路 教学课件 作者 林春景 第2章.ppt

半导体三极管 晶体三极管的结构 三极的工作原理 输出特性曲线— iC=f(vCE)? iB= 常数 反向击穿电压 2.1.7三极管在电子技术中的应用 1. 小信号放大 用三极管构成的共射、共集、共基是三种基本的小信号放大器，它们还可构成多级放大电路以完成所需的放大功能。 2. 功率放大 为驱动负载工作，常要进行功率放大。用三极管可构成OCL、OTL功率放大电路。 3. 集成运算放大器 集成运算放大器主要也是由晶体三极管构成的。它可用于信号的放大、运算、处理、发生等广泛用途。 4. 用于数字电路 工作在饱和、截止状态的晶体三极管还可构成基本逻辑门电路，以完成数字电路各种逻辑功能的要求。 5. 光电三极管等还可用于其它各类用途 2.2 场效应管 只有一种极性的载流子（多数载流子）参与导电，故称为单极型三极管。又因为这种管子是利用电场效应来控制电流的，所以也称为场效应三极管（Field Effect Transistor ，缩写是FET），本书简称场效应管。 场效应管分为两大类：一类是结型场效应管，另一类是绝缘栅场效管。 2.2.1 结型场效应管  1. 结构 2. 结型场效应管的工作原理 (1)对导电沟道的影响——控制导电沟道的宽窄，使沟道均匀变化 (2)对导电沟道的影响——使沟道变得不均匀 当为中某一确定数值时，若，则尽管有一定宽度的导电沟道的存在，但d-s间电压为零，故不会产生多子的定向移动，电流。若，则有电流从漏极流向源极，并从漏极到源极产生电位降，致使越靠近d端导电沟道越窄，越靠近s端越宽，即形成导电沟道的不均匀。当增大到使时，靠近d端的耗尽层会出现夹断现象，称之为预夹断。此时若继续增大，耗尽层闭合部分(即夹断区)将加长，即增加部分将全部降在夹断区上，而基本保持不变，即呈现恒流的性质。 (3) 对 电流的控制作用 从以上分析可以看出， 直接控制着导电沟道的宽窄，而导电沟道的宽窄直接影响电流 的大小，所以，结型场效应管的电流 是受控制 的，因此也将场效应管称为电压控制电流元件，并将这种控制作用定义为跨导： 综上可知： 全夹断——截止， ； 预夹断前—— 随 的增加而增加； 预夹断——， 即 将恒流； 预夹断后—— 不再随 增加而增加，保持恒流性质，此时 的大小与 有关。 3. 结型场效应管的特性曲线 与晶体三极管相类似，结型场效应管也有两条特性曲线；但由于输入电流，所以两条曲线分别为输出特性曲线和转移特性曲线，如图2-14所示。对应于晶体三极管饱和区、放大区、截止区，场效应管的三个区域分别为可变电阻区、恒流区、夹断区。 1)MOSFET的特性曲线 2)转移特性曲线— VGS对ID的控制特性 2.2.2 绝缘栅场效应管 绝缘栅场效应管又称为MOS(金属-氧化物-半导体)管，MOS管名称是由于它的栅-源、栅-漏之间均采用SiO2绝缘层隔离，三个极采用金属材料，导电沟道及衬底采用半导体材料而得来的。它是一种输入电阻高、稳定性好、集成化程度高的场效应管，广泛应用于大规模和超大规模集成电路中。 与结型场效应管相同，MOS管也分N沟道和P沟道两种，并且每一类还分为增强型和耗尽型两种。增强型和耗尽型的区别在于当为零时有无漏极电流。 (1)工作原理1) 影响导电沟道的宽窄 当 时，漏-源之间是两只背向的PN结，不存在导电沟道，因此无论有无，均无漏极电流。 当 时，由于SiO2的存在，栅极电流为零。但会排斥P衬底中的多子空穴而吸引少子自由电子，当所加的电压足够大时，就会形成一个N型薄层，称为反型层，这个反型层构成了漏-源之间的导电沟道。刚形成反型层(即导电沟道)时所加的称为开启电压，越大，反型层越厚，导电沟道越宽，产生的漏极电流将越大。 2)将使导电沟道不均匀并产生预夹断 与结型场效应管相类似，的存在使漏-源之间的电位产生差别而使导电沟道变得不均匀，当加到使时，出现预夹断，不再随的增加而增加。的大小取决于导电沟道的宽窄，所以是由决定的。 (2)特性曲线 N沟道增强型MOS管的特性曲线也分转移特性和输出特性两条。如图2-18所示。 2. N沟道耗尽型MOS管 N沟道耗尽型MOS管与增强型MOS管的差别只在于在制造MOS管时，在SiO2绝缘层中掺入大量正离子，因此，当时，在正离子的作用下，P衬底中已经形成了N型反型层，所以，当大于或等于甚至小于零时，均有导电沟道存在，因此只要在漏-源之间加电压，就会产生漏极电流。只当时，导电沟道才会消失，此时也称为全夹断。 耗尽型MOS管的结构示意及符号如图2-19所示。 场效应三极管的参数和型号 4. 输入电阻RG